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Mechanical strain and electrically active defects in Si implanted with Ge^+ ions
Suprun-Belevich, Y. IOP PUBLISHING LTD 1999 Semiconductor science and technology Vol.14 No.6
Mechanical strain and defects in the end-of-range region in silicon implanted with Ge^+ and co-implanted with C^+ ions
Suprun-Belevich, Y. IOP PUBLISHING LTD 1998 Semiconductor science and technology Vol.13 No.2
Deep defect levels and mechanical strain in Ge^+-implanted silicon
Suprun-Belevich, Y. R. ELSEVIER 1995 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.96 No.1-2
Evolution of mechanical strain and extended defects in annealed (100) silicon samples implanted with Ge^+ ions
Suprun-Belevich, Y. ELSEVIER 1998 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.140 No.1-2
Effect of Ge-related mechanical strain on defect and impurity behaviour in ion-implanted silicon
Suprun-Belevich, Y., Palmetshofer, L. Elsevier Science 1995 ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS Vol.9 No.-
Suprun-Belevich, Y.,Palmetshofer, L. North Holland 1995 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.106 No.1-4
Behaviour of radiation defects under the influence of mechanical strain in ion-implanted silicon
Suprun-Belevich, Y. ELSEVIER 1997 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.127-128 No.-
Defect production in Si by ion bombardment under the influence of internal mechanical strain
Suprun-Belevich, Y. ELSEVIER 1996 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.115 No.1-4
Charge state of intrinsic interstitial defects and their substitution of boron atoms in the silicon lattice
Berezhnov, N. I.,Suprun-Belevich, Y. R.,Chelyadins Consultants Bureau 1991 Russian Physics Journal Vol.34 No.4
Erbium Related Centers in CZ-Silicon
Jantsch, W.,Przybylinska, H.,Suprun-Belevich, Y.,S Trans Tech Publications 1995 Materials Science Forum Vol.196-201 No.2
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