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Reactive Ion-Beam Etching of Thick Polyimide Layers in an Oxygen + Argon Mixture
Stognij, A. I. PLENUM 2001 RUSSIAN MICROELECTRONICS C/C OF MIKROELEKTRONIKA Vol.30 No.5
Properties of Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 + δ ceramics and films
Stognij, A. I., Trukhanov, A. V., Ketsko, V. A., N Springer Science + Business Media 2011 Inorganic Materials Vol.47 No.2
Ba0.8Sr0.2TiO3 ferroelectric nanofilms on silicon buffered with a TiO2 layer
Stognij, A. I., Novitskii, N. N., Evdokimov, A. A. Springer Science + Business Media 2012 Inorganic Materials Vol.48 No.6
Fabrication of a plane-parallel interface in Ni/PbZr0.2Ti0.8O3 heterostructures
Stognij, A. I., Novitskii, N. N., Sharko, S. A., B Springer Science + Business Media 2012 Inorganic Materials Vol.48 No.8
Effect of cobalt layer thickness on the magnetoelectric properties of Co/PbZr0.45Ti0.55O3
Stognij, A. I., Novitskii, N. N., Sharko, S. A., B Springer Science + Business Media 2013 Inorganic Materials Vol.49 No.10
Effect of interfaces on the magnetoelectric properties of Co/PZT
Stognij, A. I., Novitskii, N. N., Sharko, S. A., B Springer Science + Business Media 2014 Inorganic Materials Vol.50 No.3
Influence of the state of interfaces on the magnitude of the magnetoelectric effect in Co (Ni) films on PbZr0.45Ti0.55O3 and GaAs substrates
Stognij, A. I., Novitskii, N. N., Ketsko, V. A., S Springer Science + Business Media 2016 Inorganic Materials Vol.52 No.10
Growth of Y3Fe5O12 films on Si with AlO x and SiO2 buffer layers by ion beam sputtering
Stognij, A. I., Novitskii, N. N., Golikova, O. L. Springer Science + Business Media 2017 Inorganic Materials Vol.53 No.10
On the Visualization of the Magnetoelectric Coupling Region for a Thin Ferromagnetic Layer on a Ferroelectric Substrate
Stognij, A. I., Novitskii, N. N., Sharko, S. A., B Springer Nature 2019 Inorganic Materials Vol.55 No.3
Preparation and investigation of the magnetoelectric properties in layered cermet structures
Stognij, A.I., Sharko, S.A., Serokurova, A.I., Tru Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2019 Ceramics international Vol.45 No.10
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