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(Invited) Controlling Materials Defects for SiC Power Devices
Stahlbush, Robert E., Mahadik, Nadeemullah A. Electrochemical Society 2017 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.2017 No.232
Bulk Trap Formation by High Temperature Annealing of Buried Thermal Oxides
Stahlbush, R. E.,Brown, G. A. IEEE 1995 IEEE transactions on nuclear science Vol.42 No.6
Stacking-Fault Formation and Propagation in 4H-SiC PiN Diodes
Stahlbush, R. E., Fatemi, M., Fedison, J. B., Arth The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2002 Journal of Electronic Materials Vol.31 No.5
Light Emission from Interface Traps and Bulk Defects in SiC MOSFETs
Stahlbush, R. E. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2001 Journal of Electronic Materials Vol.30 No.3
Basal plane dislocation reduction in 4H-SiC epitaxy by growth interruptions (3 pages)
Stahlbush, R.E., VanMil, B.L., Myers-Ward, R.L., L AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2009 Applied Physics Letters Vol.94 No.4
Interface Defect Formation in MOSFETs by Atomic Hydrogen Exposure
Stahlbush, R. E., Cartier, E. IEEE 1994 IEEE transactions on nuclear science Vol.41 No.6
Whole-Wafer Mapping of Dislocations in 4H-SiC Epitaxy
Stahlbush, R. E., Liu, K. X., Zhang, Q., Sumakeris Transtec Publications; 1999 2007 Materials Science Forum Vol.556-557 No.-
Effect of Stacking Faults Originating from Half Loop Arrays on Electrical Behavior of 10 kV 4H-SiC PiN Diodes
Stahlbush, R.E., Zhang, Q.C., Agarwal, A.K., Mahad Transtec Publications; 1999 2012 Materials Science Forum Vol.717-720 No.1
Propagation of Current-Induced Stacking Faults and Forward Voltage Degradation in 4H-SiC PiN Diodes
Stahlbush, R. E., Fedison, J. B., Arthur, S. D., R Transtec Publications; 1999 2002 Materials Science Forum Vol.389-393 No.1
Electron and hole trapping in the buried oxide of unibond wafers
Stahlbush, R.E Professional Technical Group on Nuclear Science 1997 IEEE transactions on nuclear science Vol.44 No.6
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