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Sogoyan, A. V., Davydov, G. G. Springer Science + Business Media 2011 RUSSIAN MICROELECTRONICS C/C OF MIKROELEKTRONIKA Vol.40 No.3
A simple analytical model of single-event upsets in bulk CMOS
Sogoyan, Armen V., Chumakov, Alexander I., Smolin, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2017 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.400 No.-
A model for the formation of leakage currents in the dielectrics of MOS structures under the effect of heavy charged particles
Sogoyan, A. V., Polunin, V. A. Springer Science + Business Media 2015 RUSSIAN MICROELECTRONICS C/C OF MIKROELEKTRONIKA Vol.44 No.1
Method of radiational identification of a plant and characterization of integrated circuit technology
Sogoyan, A. V., Davydov, G. G., Artamonov, A. S., Springer Science + Business Media 2017 RUSSIAN MICROELECTRONICS C/C OF MIKROELEKTRONIKA Vol.46 No.4
The hydrogenic-electron model of accumulation of surface states on the oxide-semiconductor interface under the effects of ionizing radiation
Sogoyan, A. V., Cherepko, S. V., Pershenkov, V. S. Springer Science + Business Media 2014 RUSSIAN MICROELECTRONICS C/C OF MIKROELEKTRONIKA Vol.43 No.2
Evaluation of resistance of CMOS LSIC to the factor of absorbed dose under the pulsed radiation effect
Sogoyan, A. V. Springer Science + Business Media 2011 RUSSIAN MICROELECTRONICS C/C OF MIKROELEKTRONIKA Vol.40 No.3
Simulation of impact of the HCP on the CNT-nanosensor by the molecular dynamics method
Sogoyan, A. V., Boychenko, D. V., Demidova, A. V. Springer Science + Business Media 2017 RUSSIAN MICROELECTRONICS C/C OF MIKROELEKTRONIKA Vol.46 No.3
Diffusion model of the ionization response of LSI elements under exposure to heavy charged particles
Sogoyan, A. V., Chumakov, A. I. Springer Science + Business Media 2017 RUSSIAN MICROELECTRONICS C/C OF MIKROELEKTRONIKA Vol.46 No.4
SEE rate estimation based on diffusion approximation of charge collection
Sogoyan, Armen V., Chumakov, Alexander I., Smolin, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2018 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.418 No.-
Thermal- and Radiation-Induced Interface Traps in MOS Devices
Sogoyan, A. V., Cherepko, S. V., Pershenkov, V. S. IEEE 1997 RADECS -EUROPEAN CONFERENCE- Vol.4 No.-
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