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Al0.3Ga0.7Al/Al0.05Ga0.95As Light-emitting Diodes on GaAs-Coated Si Substrates Grown by Liquid Phase Epitaxy
Sakai, Shiro.,Chang, Shi S.,Ramaswamy, Ramu V. American Institute of Physics 1988 Applied Physics Letters Vol.53 No.13
Large Schottky Barriers for Ni/p-GaN Contacts
Shiojima, Kenji.,Sugahara, Tomoya.,Sakai, Shiro. American Institute of Physics 1999 Applied Physics Letters Vol.74 No.14
GaAs/AlGaAs Optical Waveguides on Silicon Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy
Kim, Young-Soon.,Ramaswamy, Ramu V.,Sakai, Shiro. American Institute of Physics 1988 Applied Physics Letters Vol.53 No.17
New Method for Measurement of Electric-Field Distribution on Semiconductors
Shiro Sakai , Masuo Fukui , Tadamitsu Iritani , Os Institute of Electrical and Electronics Engineers 1977 IEEE Transactions on Instrumentation and Measureme Vol.26 No.3
Effect of Electron-Electron Interactions on Metallic State in Quasicrystals
Sakai, Shiro, Koga, Akihisa JAPAN INSTITUTE OF METALS 2021 Materials Transactions Vol.62 No.3
Dislocation Reduction in the Annealed Undercut GaAs on Si
Sakai, Shiro,Shao, Chun Lin,Wada, Naoki American Institute of Physics 1992 Applied Physics Letters Vol.60 No.12
Selective MOCVD growth of GaAlAs on partly masked substrates and its application to optoelectronic devices
Yasuhito Takahashi, Shiro Sakai, Masayoshi Umeno North-Holland Pub. Co 1984 Journal of crystal growth Vol.68 No.1
ALGAAS/GAAS TJS laser diodes fabricated on Si substrates by MOCVD
Xiongwei Hu, Shiro Sakai, Tetsuo Soga, Masayoshi U Elsevier 1988 Journal of luminescence Vol.40-41 No.-
Transient-mode liquid phase epitaxial growth of GaAs on GaAs-coated Si substrates prepared by migration-enhanced molecular beam epitaxy
Shuji Nakamura, Shiro Sakai, Shi S. Chang, Ramu V. North-Holland Pub. Co 1989 Journal of crystal growth Vol.97 No.2
Role of Dislocation in InGaN/GaN Quantum Wells Grown on Bulk GaN and Sapphire Substrates
Sugahara, Tomoya,Sakai, Shiro 電子情報通信學會 2000 IEICE TRANSACTIONS ON INFORMATION AND SYSTEMS E SE Vol.83 No.4
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