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Shcherbachev, K. D., Bublik, V. T., Mordkovich, V. John Wiley & Sons, Ltd 2007 Physica Status Solidi. A Vol.204 No.8
Defect structure in Zn+ implanted Si: HRXRD study
Shcherbachev, K., Privezentsev, V., Saraykin, V., John Wiley & Sons, Ltd 2011 Physica Status Solidi. A Vol.208 No.3
Influence of implantation conditions of He+ ions on the structure of a damaged layer in GaAs(001)
Shcherbachev, K., Bailey, M. J. John Wiley & Sons, Ltd 2011 Physica Status Solidi. A Vol.208 No.11
The Kinship Between the Saltykovs and Mikhail Fedorovich Romanov
Shcherbachev, Oleg V. Taylor & Francis 2016 Russian studies in history Vol.55 No.1
The Investigation of Decomposition of Supersaturated Si(<Zn>) Solid Solution by X-ray Diffuse Scattering
Shcherbachev, K., Privezentsev, V. New York; American Institute of Physics 2010 AIP Conference Proceedings Series Vol.1221 No.-
Influence of the chemical nature of implanted ions on the structure of a silicon layer damaged by implantation
Shcherbachev, K. D., Voronova, M. I., Bublik, V. T SPRINGER SCIENCE + BUSINESS MEDIA 2013 Crystallography reports Vol.58 No.7
Defect structure transformation after thermal annealing in a surface layer of Zn-implanted Si(001) substrates
Shcherbachev, K., Privezentsev, V., Kulikauskas, V Blackwell Publishing Ltd 2013 Journal of Applied Crystallography Vol.46 No.4
The Study of Microdefects in Si-Doped GaAs Single Crystals by X-ray Diffuse Scattering
Shcherbachev, K. D. NAUKA/INTERPERIODICA PUBLISHING 1995 Crystallography reports Vol.40 No.5
Specific features of formation of radiation defects in the silicon layer in “silicon-on-insulator� structures
Shcherbachev, K. D., Bublik, V. T., Mordkovich, V. Springer Science + Business Media 2011 Semiconductors Vol.45 No.6
The effect of in situ photoexcitation on the generation of damaged structures during ion implantation into Si wafers
Shcherbachev, K. D., Bublik, V. T., Mordkovich, V. IOP PUBLISHING LTD 2005 Journal of Physics. D, Applied Physics Vol.38 No.10A
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