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Atomic Structure of the �SiC(100)-(3 x 2) Surface
Semond, F American Physical Society 1996 Physical Review Letters Vol.77 No.10
Molecular Beam Epitaxy of Group-III Nitrides on Silicon Substrates: Growth, Properties and Device Applications
Semond, F., Cordier, Y., Grandjean, N., Natali, F. ACADEMIC VERLAG GMBH 2001 Physica Status Solidi. A Vol.188 No.2
Growth of Molecular Beam Epitaxy and Optical Properties of a Ten-Period AlGaN/AlN Distributed Bragg Reflector on (111)Si
Semond, F. ACADEMIC VERLAG GMBH 2001 Physica Status Solidi. A Vol.183 No.1
GaN on Si(111): From Growth Optimization to Optical Properties of Quantum Well Structures
Semond, F.,Damilano, B.,Vezian, S.,Grandjean, N. Wiley-VCH 1999 Physica status solidi. B Vol.216 No.1
Advances in the Realisation of GaN-Based Microcavities: Towards Strong Coupling at Room Temperature
Semond, F., Byrne, D., Natali, F., Leroux, M., Mas Warrendale, Pa.; Materials Research Society 2004 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.798 No.-
Direct SiO₂/β-SiC(100)3X2 Interface Formation from 25˚C to 500˚C`
Semond, F.,Douillard, L.,Soukiassian, P. American Institute of Physics 1996 Applied Physics Letters Vol.68 No.15
GaN Grown on Si(111) Substrate
Semond, F.,Dammilano, B.,Vesian, S. American Institute of Physics 1999 Applied Physics Letters Vol.75 No.1
Strong light-matter coupling at room temperature in simple geometry GaN microcavities grown on silicon (3 pages)
Semond, F., Sellers, I. R., Natali, F., Byrne, D. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2005 Applied Physics Letters Vol.87 No.2
Strong Light-Matter Coupling in GaN-Based Microcavities Grown on Silicon Substrates
Semond, F., Sellers, I.R., Ollier, N., Natali, F. Warrendale, Pa.; Materials Research Society; 1999 2008 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1068 No.-
Self-Organized One-Dimensional Si Atomic Chains on Cubic Silicon Carbide Surface
Semond, F., Aristov, V. Y., Douillard, L., Fauchou Trans tech publications 1997 Materials Science Forum Vol.264-268 No.2
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