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Scozzie, C. J. INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS 1994 Reliability physics Vol.- No.32
Silicon carbide FETs for high temperature nuclear environments
Scozzie, C.J., McGarrity, J.M., Blackburn, J., DeL IEEE; 1999 1996 IEEE transactions on nuclear science Vol.43 No.3
Strategic Partnership: The Successful Contract Laboratory-Sponsor Relationship
Scozzie, J. A. Academic Press 1994 QUALITY ASSURANCE -SAN DIEGO- Vol.4 No.2
Reliability-Driven SiC Power Device Development for Army Applications
Scozzie, C.J. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2011 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.220 No.4
Mobility in 6H-SiC n-Channel MOSFETs
Scozzie, C. J.,Lelis, A. J.,McLean, F. B. Trans Tech Publications 2000 Materials Science Forum Vol.338-342 No.2
Charge Pumping Measurements on SiC MOSFETs
Scozzie, C. J., McGarrity, J. M. Trans tech publications 1997 Materials Science Forum Vol.264-268 No.2
(Invited) Reliability-Driven SiC Power Device Development for Army Applications
Scozzie, C.J., Lelis, A., Green, R. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2011 ECS Transactions Vol.41 No.8
Effects of Interface-Trapped Charge on the SiC MOSFET Characteristics
Scozzie, C. J., McGarrity, J. M. IEEE 1998 INTERNATIONAL HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS CONFERE Vol.4 No.-
Modeling the temperature response of 4H silicon carbide junction field-effect transistors
C. J. Scozzie, F. B. McLean, J. M. McGarrity American Institute of Physics 1997 Journal of Applied Physics Vol.81 No.11
Leakage currents in high-quality pulsed-laser deposited aluminum nitride on 6H silicon carbide from 25 to 450 °C
C. J. Scozzie, A. J. Lelis, F. B. McLean, R. D. Vi American Institute of Physics 1999 Journal of Applied Physics Vol.86 No.7
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