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Sadachika, S. UNKNOWN 2006 QUALITY -TOKYO- Vol.36 No.1
Fully-Depleted SOI-MOSFET Model for Circuit Simulation and Its Application to 1/f Noise Analysis
Sadachika, N., Uetsuji, Y., Kitamaru, D., Mattausc Wien; New York:; Springer, 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
Modeling of Floating-Body Devices Based on Complete Potential Description
Sadachika, N., Murakami, T., Ando, M., Ishimura, K Boca Raton, FI; CRC Press 2008 NANOTECH Vol.3 No.-
HiSIM-SOI: SOI-MOSFET Model for Circuit Simulation Valid also for Device Optimization
Sadachika, N., Kusu, S., Ishimura, K., Murakami, T Boca Raton, FI; CRC Press 2009 NANOTECH Vol.3 No.-
Compact Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor Model for Device/Circuit Optimization
Sadachika, N., Murakami, T., Oka, H., Tanabe, R., Oxford University Press 2008 IEICE transactions on electronics Vol.91 No.8
Prediction of Circuit-Performance Variations from Technology Variations for Reliable 100nm SOC Circuit Design
Sadachika, N., Mimura, S., Yumisaki, A., Johguchi, Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2011 IEICE transactions on electronics Vol.94 No.3
Completely Surface-Potential-Based Compact Model of the Fully Depleted SOI-MOSFET Including Short-Channel Effects
Sadachika, N., Kitamaru, D., Uetsuji, Y., Navarro, IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 IEEE transactions on electron devices Vol.53 No.9
The Press
Nabeyama, Sadachika New Leader Publishing Association 1960 The New leader Vol.43 No.46
Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Model for Device and Circuit Optimization [published April 25, 2008]
Yokomichi, M., Sadachika, N., Miyake, M., Kajiwara JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2008 Applied Physics Express Vol.47 No.4
Modeling and Analysis of Short-Channel Effects in Double-Gate MOSFETs
Ishimura, K., Sadachika, N., Miura-Mattausch, M. Business Center for Academic Societies; 1998 2008 SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS Vol.2008 No.-
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