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Competition between InP and In~2O~3 islands during the growth of InP on SrTiO~3 (4 pages)
Saint-Girons, G., Regreny, P., Cheng, J., Patriarc AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2008 Journal of Applied Physics Vol.104 No.3
Low density of self-assembled InAs quantum dots grown by solid-source molecular beam epitaxy on InP(001) (3 pages)
Dupuy, E., Regreny, P., Robach, Y., Gendry, M., Ch AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2006 Applied Physics Letters Vol.89 No.12
Epitaxial lift-off of InGaAs solar cells from InP substrate using a strained AlAs/InAlAs superlattice as a novel sacrificial layer
Chancerel, F., Regreny, P., Leclercq, J.L., Brotte Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2019 Solar Energy Materials and Solar Cells Vol.195 No.-
Highly linear polarized emission at telecom bands in InAs/InP quantum dot-nanowires by geometry tailoringElectronic supplementary information (ESI) available: Distribution of the long and short NW axes and theoretical DLP has a function of the NW size. See DOI: 10.1039
Jaffal, Ali, Regreny, Philippe, Patriarche, Gilles Royal Society of Chemistry 2021 Nanoscale Vol.13 No.40
Localized growth of InAs quantum dots on nanopatterned InP(001) substrates (3 pages)
Turala, A., Regreny, P., Rojo-Romeo, P., Gendry, M AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2009 Applied Physics Letters Vol.94 No.5
InAs nanocrystals on SiO~2/Si by molecular beam epitaxy for memory applications (3 pages)
Hocevar, M., Regreny, P., Descamps, A., Albertini, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2007 Applied Physics Letters Vol.91 No.13
Monolithic integration of InP based heterostructures on silicon using crystalline Gd~2O~3 buffers (3 pages)
Saint-Girons, G., Regreny, P., Largeau, L., Patria AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2007 Applied Physics Letters Vol.91 No.24
Electron retention in InAs-nanocrystals embedded in SiO2/Si for non-volatile memories
Hocevar, M., Regreny, P., Poncet, A., Gendry, M., John Wiley & Sons, Ltd 2008 Physica Status Solidi C Vol.5 No.12
Influence of the surface reconstruction on the growth of InP on SrTiO3(001)
Cheng, J., Regreny, P., Largeau, L., Patriarche, G Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2009 Journal of crystal growth Vol.311 No.4
Growth and Characterization of Totally Relaxed InGaAs Thick Layers on Strain-Relaxed Paramorphic InP Substrates
Boudaa, M., Regreny, P., Leclercq, J. L., Besland, The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2004 Journal of Electronic Materials Vol.33 No.7
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