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Gwilliam, R. M. GORDON & BREACH / HARWOOD ACADEMIC PUBLISHING 1993 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS Vol.127 No.3-4
The effect of high energy boron co-implantation on the activation of silicon implants in GaAs
R.J. Wilson, B.J. Sealy, R.M. Gwilliam Elsevier BV 1992 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.62 No.3
Low resistivity layers and Schottky contacts in amorphous silicon by Co^+ implantation
Gwilliam, R. M [Institution of Electrical Engineers] 1998 Electronics Letters Vol.34 No.25
Gwilliam, R. M. IEE 1998 Electronics Letters Vol.34 No.25
Dose dependence of crystallinity and resistivity in ion beam synthesised CoSi2 layers
R.S. Spraggs, K.J. Reeson, R.M. Gwilliam, B.J. Sea Elsevier BV 1991 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.55 No.1-4
Ultra-Shallow Junction Formation in SOI Using Vacancy Engineering
Gwilliam, R. M., Cowern, N. E. B., Colombeau, B., IOP INSTITUTE OF PHYSICS PUBLISHING LTD 2006 AIP Conference Proceedings Series Vol.876 No.-
The study of lattice damage using slow positrons following low energy B+ implantation of silicon
Gwilliam, R. M. Elsevier Science; 1999 2001 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.175-177 No.-
Development of a novel tool for semiconductor process control
Gwilliam, R. M. Elsevier; 1999 2001 Materials Science and Engineering B Vol.80 No.1-3
Gwilliam, R. M.,Knights, A. P.,Wendler, E.,Sealy, Elsevier 2001 Materials Science and Engineering B Vol.80 No.1-3
Current Trends in Ion Implantation
Gwilliam, R. M. Trans Tech Publications 2001 Materials Science Forum Vol.363-365 No.-
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