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Charge Trapping Properties of Thin Plasma Nitrided Oxides Induced by Nitrogen and Hydrogen Incorporation
Plossu, C. MATERIALS RESEARCH SOCIETY 1993 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.284 No.-
Il n'y a pas de bon photographe qui ne soit un danseur
Plossu, Bernard CENTRE NATIONAL DU LIVRE 2018 Europe Vol.96 No.1065-1066
Plossu, C.,Seigneur, F.,Balland, B.,Piot, B. Materials Research Society 1992 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.284 No.-
Dynamic stressing of thin tunnel oxides: a way to emulate a single EEPROM cell programming function
Plossu, C. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 1999 Journal of non-crystalline solids Vol.245 No.1-3
Conduction properties of electrically erasable read only memory tunnel oxides under dynamic stress
Plossu, C. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 2001 Journal of non-crystalline solids Vol.280 No.1-3
C. Plossu, J. M. Voisin, B. Bos, C. Raynaud, R. Bo North-Holland 1999 Journal of non-crystalline solids Vol.245 No.-
Impact of temperature on non-equilibrium Fowler-Nordheim EEPROM programming
Baboux, N., Plossu, C., Boivin, P., Mirabel, J. M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.84 No.9-10
A new technique to characterize endurance of EEPROM tunnel oxides
Baboux, N., Plossu, C., Boivin, P. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 Journal of non-crystalline solids Vol.351 No.21-23
A comparison of Si-SiO~2 interface trap properties in thin-film transistors with thermal and plasma nitrided oxides
Autran, J.-L.,Plossu, C.,Seigneur, F.,Balland, B. North Holland 1995 Journal of non-crystalline solids Vol.187 No.-
EEPROM programming window changes with operating temperature
Baboux, N., Plossu, C., Boivin, P., Mirabel, J. M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 Journal of non-crystalline solids Vol.351 No.21-23
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