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Perez, R., Tournier, D., Perez-Tomas, A., Godignon IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 IEEE transactions on electron devices Vol.52 No.10
SiC MOSFETs with thermally oxidized Ta2Si stacked on SiO2 as high-k gate insulator
Perez-Tomas, A., Jennings, M. R., Gammon, P. M., R Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.85 No.4
High doped MBE Si p-n and n-n heterojunction diodes on 4H-SiC
Perez-Tomas, A., Jennings, M. R., Davis, M., Shah, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 Microelectronics Journal Vol.38 No.12
New Insights on the Antitumoral Properties of Prodiginines
Perez-Tomas, R., Vinas, M. Bentham Science Publishers Ltd 2010 Current medicinal chemistry Vol.17 No.21
Multidrug Resistance: Retrospect and Prospects in Anti-Cancer Drug Treatment
Perez-Tomas, R. BENTHAM SCIENCE PUBLISHERS 2006 Current medicinal chemistry Vol.13 No.16
A STUDY OF THE THERMAL OXIDATION OF TaSi~2 AND Ta~2Si SILICIDES TO FORM DIELECTRIC LAYERS FOR MIS STRUCTURES ON 4H-SiC
Perez-Tomas, A., Godignon, P., Mestres, N., Montse IEEE, 2005 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE Vol.28 No.2
GATE OXIDES ON 4H-SiC SUBSTRATES GROWN OR ANNEALED IN N~2O/Ar MIXTURE
Perez-Tomas, A., Godignon, P., Tournier, D., Mestr IEEE, 2004 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE Vol.27 No.2
The prodigiosins, proapoptotic drugs with anticancer properties
Perez-Tomas, R., Montaner, B., Llagostera, E., Sot Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 Biochemical pharmacology Vol.66 No.8
Ta2Si short time thermal oxidized layers in N2O and O2 to form high-k gate dielectric on SiC
Perez-Tomas, A., Mestres, N., Godignon, P., Montse Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2006 Applied Surface Science Vol.253 No.4
Si/SiC bonded wafer: A route to carbon free SiO~2 on SiC (3 pages)
Perez-Tomas, A., Lodzinski, M., Guy, O.J., Jenning AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2009 Applied Physics Letters Vol.94 No.10
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