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Palmstro/m, C. J.,Cheeks, T. L.,Gilchrist, H. L.,Z AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1992 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.10 No.4
Dramatic work function variations of molecular‐beam epitaxially grown GaAs(100) surfaces
Duszak, R.,Palmstro/m, C. J.,Florez, L. T.,Yang, Y AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1992 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.10 No.4
Gating of high-mobility InAs metamorphic heterostructures (3 pages)
Shabani, J., McFadden, A.P., Shojaei, B., Palmstro AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2014 Applied Physics Letters Vol.105 No.26
The Ge/Pd/n-GaAs Ohmic Contact Interface Studied by Backside Raman Spectroscopy
Watte, J., Silverans, R. E., Muender, H., Palmstro Materials Research Society 1994 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.337 No.-
Molecular beam epitaxy of ScxEr1-xSb on InAs(100)
Choi, S. G., Schultz, B. D., Wang, Y. Q., Palmstro Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 Journal of crystal growth Vol.303 No.2
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