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Sequential etching of GaAs
Nordquist, P. E. R. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 1993 Journal of crystal growth Vol.128 No.1-4/1
Antiphase domains and etching of B-SiC
P.E.R. nordquist, M.L. Gipe, G. Kelner, P.H. Klein north-Holland 1989 Materials Letters Vol.9 No.1
Morphology and growth rate oF B-SiC grown on (100) silicon by chemical vapor deposition
P.E.R. nordquist, G. Kelner, M.L. Gipe, P.H. Klein north-Holland 1989 Materials Letters Vol.8 No.6-7
A eutectic hydroxide etch for B-SiC
P.E.R. nordquist, H. Lessoff, R. Gorman, M.L. Gipe north-Holland 1989 Materials Letters Vol.7 No.9-10
Growth of (100) GaAs by vertical zone melting
R.L. Henry, P.E.R. Nordquist, R.J. Gorman, S.B. Qa North-Holland Pub. Co 1991 Journal of crystal growth Vol.109 No.1-4
Annealing of GaAs grown by vertical zone melting
Nordquist, P. E. R. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 1994 Journal of crystal growth Vol.141 No.3-4
Annealing of VZM GaAs
Nordquist, P. E. R., Henry, R. L., Blakemore, J. S World Scientific Publishing 1994 SEMIINSULATING 3 5 MATERIALS -CONFERENCE- Vol.- No.8
Impact of Wheat Cultivars on Establishment and Suppression of Summer Annual Weeds
G.A.Wicks,R.E.Ramsel,P.T.Nordquist American Society of Agronomy 1986 Agronomy journal Vol.78 No.1
Elevated gamma-glutamyl transpeptidase levels in malignant melanoma
Murray, J.L., Lerner, M.P., Nordquist, R.E. John Wiley & Sons 1982 Cancer Vol.49 No.7
DONOR BINDING-ENERGIES DETERMINED FROM TEMPERATURE-DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA IN UNDOPED AND ALUMINUM-DOPED BETA SIC FILMS
J. A. Freitas, S. G. Bishop, P. E. R. Nordquist, M American Institute of Physics 1988 Applied Physics Letters Vol.52 No.20
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