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Enhanced carrier lifetime and diffusion length in GaAs by strained-layer MOCVD
Beneking, H.,Narozny, P.,Roentgen, P.Yoshida, M. IEEE 1986 IEEE electron device letters Vol.7 No.2
Fabrication and characteristics of ion-implanted GaAs/GaAlAs integrated injection logic inverter
P. Narozny, H. Beneking [Institution of Electrical Engineers] 1984 Electronics Letters Vol.20 No.11
High-quality GaAs Schottky diodes fabricated by strained layer epitaxy
P. Narozny, H. Beneking [Institution of Electrical Engineers] 1985 Electronics Letters Vol.21 No.22
Double heterojunction GaAs/GaAlAs I2L inverter
P. Narozny, H. Beneking [Institution of Electrical Engineers] 1985 Electronics Letters Vol.21 No.8
Pseudomorphic Ku-Band GaAs HFET Linearizer Preamplifier Front End for Satellite TWT-Amplifiers
Narozny, P.,Tobler, H.,Kornfield, G.,Adelseck, B. IEEE 1995 GAAS IC SYMPOSIUM Vol.17 No.-
Reduction of dislocations in GaAs and InP epitaxial layers by quasi ternary growth and its effect on device performance
Beneking, H.,Narozny, P.,Emeis, N.Goetz, K. H. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1986 Journal of Electronic Materials Vol.15 No.4
A low dark current, large bandwidth Mott-barrier photodetector fabricated by quasi-ternary growth of GaAs
Schumacher, H.,Narozny, P.,Werres, C.Beneking, H. IEEE 1986 IEEE electron device letters Vol.7 No.1
Lateral pnp GaAs bipolar transistor prepared by ion implantation
H. Kräutle , P. Narozny , H. Beneking [Institution of Electrical Engineers] 1982 Electronics Letters Vol.18 No.6
Strained-layer homojunction GaAs bipolar transistor with enhanced current gain
R. Schummers, P. Narozny, H. Beneking [Institution of Electrical Engineers] 1986 Electronics Letters Vol.22 No.17
HIGH-QUALITY EPITAXIAL GAAS AND INP WAFERS BY ISOELECTRONIC DOPING
H. Beneking, P. Narozny, N. Emeis American Institute of Physics 1985 Applied Physics Letters Vol.47 No.8
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