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Theoretical-Studies of the Low-Temperature Drift Mobility in A-Si-H
Heuckeroth-V,Overhof-H,Schumacher-R,Thomas-P unknown 1991 Philosophical Magazine B Vol.63 No.1
Defect identification in the As~G~a family in GaAs
Overhof, H., Spaeth, J.-M. AMERICAN PHYSICAL SOCIETY 2005 Physical Review B Vol.72 No.11
Electronic dc Transport in a-Si:H
Overhof, H. SCI TECH PUBLICATIONS LTD 1995 Diffusion and defect data, solid state data. Solid Vol.44-46 No.1
Electronic Structure and Hyperfine Structure of Deep Donors in Si and in some Compound Semiconductors
Overhof, H. Scitec Publications; 1999 2000 Diffusion and defect data, solid state data. Solid Vol.71 No.-
The Statistical Shift Model for the Meyer-Neldel Rule
Overhof, H. SCI TECH PUBLICATIONS LTD 2001 Defect and Diffusion Forum Vol.192-193 No.-
Comment on "Thermopower and conductivity activation energies in hydrogenated amorphous silicon"
Overhof, H. AMERICAN PHYSICAL SOCIETY 1997 Physical Review B Vol.56 No.19
Ab-Initio Calculation of the Hyperfine Fields for Deep A~1 Donors in GaAs under Pressure
Overhof, H. Trans Tech Publications 1993 Materials Science Forum Vol.143-147 No.2
The Atomic Structure of Mn~4 Clusters in Silicon
Overhof, H. Trans Tech Publications 1995 Materials Science Forum Vol.196-201 No.3
Theory of 3d transition metal defects in 3C-SiC. (Invited)
Overhof, H. Trans tech publications 1997 Materials Science Forum Vol.258-263 No.2
Fundamental concepts in the physics of amorphous semiconductors
Overhof, H. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 1998 Journal of non-crystalline solids Vol.227-230 No.1
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