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Observation of high electric field at ZnSe/GaAs heterointerfaces by fast Fourier transformed photoreflectance
Nukeaw, J Elsevier Sequoia 1998 Thin Solid Films Vol.334 No.1
Characterization of InP �doped with Er by FFT photoreflectance
Nukeaw, J. ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS 1997 Applied Surface Science Vol.117-118 No.-
Observation of Trap States in Er-Doped InP by Photoreflectance
Nukeaw, Jiti,Yanagisawa, Jun,Matsubara, Naoteru American Institute of Physics 1997 Applied Physics Letters Vol.70 No.1
Observation of optical transition energy in ZnSe/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)
Nukeaw, J., Upprakhot, K., Rahong, S., Tunhoo, B. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 PHYSICA E Vol.21 No.2-4
Observation of optical transition energy in ZnSe/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)/ZnSe single quantum wells by photoreflectance spectroscopy
Nukeaw, J., Upprakhot, K., Rahong, S., Tunhoo, B. Amsterdam:; Elsevier, 2004 PHYSICA E Vol.21 No.214
Photoreflectance study of InP/InGaAs(1-5 ML)/InP single quantum well
Nukeaw, J. ELSEVIER SEQUOIA SA 1998 Thin Solid Films Vol.334 No.1-2
Observation of electric fields at surface and interface of doped GaAs semi-insulating GaAs structures by fast Fourier transformed photoreflectance
J. Nukeaw, Y. Fujiwara, Y. Takeda Institute of Pure and Applied Physics 1997 Japanese Journal of Applied Physics Vol.36 No.11
Structural and optical properties of low temperature evaporated iron phthalocyanine thin films
Tunhoo, B., Nukeaw, J. SPRINGER 2009 MATERIALS RESEARCH INNOVATIONS Vol.13 No.3
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