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Wet Chemical Etching of GaN in H 3 PO 4 with AI Ions
Mynbaeva, M. G.,Melnik, Yu V.,Kryganovskii, A. K.M The Electrochemical Society 1999 Electrochemical and solid-state letters Vol.2 No.8
Formation of graphite/sic structures by the thermal decomposition of silicon carbide
Mynbaeva, M. G., Lavrent’ev, A. A., Mynbaev, K. D. Springer Science + Business Media 2016 Semiconductors Vol.50 No.1
Large-area crystalline GaN slabs
Mynbaeva, M. G., Pechnikov, A. I., Sitnikova, A. A Springer Science + Business Media 2015 TECHNICAL PHYSICS LETTERS C/C OF PIS'MA V ZHURNAL Vol.41 No.3
Specific features of the hydride vapor-phase epitaxy of nitride materials on a silicon substrate
Mynbaeva, M. G., Golovatenko, A. A., Pechnikov, A. Springer Science + Business Media 2014 Semiconductors Vol.48 No.11
Porous GaN
Mynbaeva, M. G. IOP PUBLISHING LTD 1996 CONFERENCE SERIES- INSTITUTE OF PHYSICS Vol.155 No.-
On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum
Mynbaeva, M. G., Lebedev, S. P., Lavrent’ev Springer Science + Business Media 2014 Semiconductors Vol.48 No.3
Self-organized defect control during GaN homoepitaxial growth on nanostructured substrates
Mynbaeva, M., Sitnikova, A., Nikolaev, A., Vinogra John Wiley & Sons, Ltd 2013 Physica Status Solidi C Vol.10 No.3
Collective effects in the system of structural defects in homoepitaxial GaN grown on porous substrates
Mynbaeva, M. G., Nikolaev, A. E., Sitnikova, A. A. Springer Science + Business Media 2012 TECHNICAL PHYSICS LETTERS C/C OF PIS'MA V ZHURNAL Vol.38 No.5
HVPE GaN growth on porous SiC with closed surface porosity
Mynbaeva, M., Sitnikova, A., Tregubova, A., Mynbae Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 Journal of crystal growth Vol.303 No.2
Photoelectric properties of porous GaN/SiC heterostructures
Mynbaeva, M. G., Sitnikova, A. A., Mynbaev, K. D. Springer Science + Business Media 2011 Semiconductors Vol.45 No.10
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