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HiSIM: the first complete drift-diffusion MOSFET model for circuit simulation
Mattausch, H. J.,Miura-Mattausch, M.,Ueno, H.,Kuma IEEE Press 2001 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID STATE AND INTEGR Vol.6 No.2
100 nm MOSFET Model for Circuit Simulation: Challenges and Solutions
Miura-Mattausch, M., Ueno, H., Mattausch, H. J., M INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFORMATION & 2003 IEICE transactions on electronics Vol.86 No.6
Circuit Simulation Models for Coming MOSFET Generations
Miura-Mattausch, M., Ueno, H., Mattausch, H. J., K INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFORMATION & 2002 IEICE transactions on fundamentals of electronics, Vol.E85-A No.4
MOSFET modeling gets physical
Miura-Mattausch, M., Mattausch, H.J., Arora, N.D. IEEE 2001 IEEE circuits and devices magazine Vol.17 No.6
Precise Physical Modeling of the Reverse-Short-Channel Effect for Circuit Simulation
Suetake, M.,Miura-Mattausch, M.,Mattausch, H. J.,K IEEE 1999 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
Compact modeling of dynamic trap density evolution for predicting circuit-performance aging
Miura-Mattausch, M., Miyamoto, H., Kikuchihara, H. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2018 Microelectronics and reliability Vol.80 No.-
Modeling of High-Voltage MOSFETs for Device/Circuit Optimization (Invited)
Miura-Mattausch, M., Yokomichi, M., Sadachika, N. Japan Society of Applied Physics 2008 Solid state devices and materials Vol.- No.-
HiSIM2 Circuit simulation - Solving the speed versus accuracy crisis
Mattausch, H. J., Miyake, M., Yoshida, T., Hazama, IEEE PERIODICALS 2006 IEEE circuits and devices magazine Vol.22 No.5
Complete Surface-Potential Modeling Approach Implemented in the HiSIM Compact Model Family for Any MOSFET Type
Miura-Mattausch, M., Miyake, M., Kikuchihara, H., Boston, Mass.; Abingdon; CRC Press 2011 NANOTECH Vol.2 No.-
HiSIM2.4.0: Advanced MOSFET model for the 45nm Technology Node and Beyond
Miura-Mattausch, M., Sadachika, N., Miyake, M., Na Boca Raton, FI; CRC Press 2007 NANOTECH -CD-ROM EDITION- Vol.- No.-
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