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Hampshire, M. J. Professional Engineering Publishing; 1998 2001 IMECHE CONFERENCE TRANSACTIONS Vol.4 No.-
The observation of energy transitions from lower valence band states in CuGaSe2
M.J. Thwaites, R.D. Tomlinson, M.J. Hampshire Pergamon Press 1978 Solid state communications Vol.26 No.7
LIVE PEAK-STRIPPING DURING X-RAY ENERGY-DISPERSIVE ANALYSIS
J. Parkes, L. J. Rabbitt, M. J. Hampshire American Chemical Society 1974 Analytical chemistry Vol.46 No.12
Hardening of pure magnesium by lattice defectsDurcissement du magnesium pur par des défauts réticulairesVerfestigung von reinem Magnesium durch Gitterdefekte
J.M Hampshire, D Hardie Elsevier 1974 Acta Metallurgia Vol.22 No.5
Electrical properties of CuInSe2 single crystals
J. Parkes , R.D. Tomlinson , M.J. Hampshire Elsevier 1973 Solid-State Electronics Vol.16 No.7
The fabrication of p and n type single crystals of CuInSe2
J. Parkes, R.D. Tomlinson, M.J. Hampshire North-Holland Pub. Co 1973 Journal of crystal growth Vol.20 No.4
COMPUTER SOLUTION OF DEPLETION AND ACCUMULATION LAYERS AND ANALYSIS OF ABRUPT N-N HETEROJUNCTIONS
M. J. Hampshire, G. A. Wilson, M. M. Chadda Institute of Physics Publishing Ltd. 1968 Journal of Physics. D, Applied Physics Vol.1 No.7
Use of Ehrenberg's approximation in analytical solution of semiconductor barriers in weak inversion and accumulation
M.J. Hampshire Elsevier 1975 Solid-State Electronics Vol.18 No.6
Surface potential evaluation in MIS structures using Schottky diodes
M.K. Mak , M.J. Hampshire Elsevier 1975 Solid-State Electronics Vol.18 No.10
SILICON-GERMANIUM N-P HETEROJUNCTION
M. J. Hampshire, G. T. Wright Institute of Physics Publishing Ltd. 1964 Journal of Physics. D, Applied Physics Vol.15 No.11
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