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Lozes-Dupuy, F. LES EDITIONS DE PHYSIQUE 1994 Journal De Physique III Vol.4 No.12
Well width dependence of gain and threshold current in GaAlAs single quantum well lasers
Saint-Cricq, B.,Lozes-Dupuy, F.Vassilieff, G. IEEE 1986 IEEE journal of quantum electronics Vol.22 No.5
Strain optimization for high differential gain and low current operation in 1.55 μm InGaAs/InGaAsP quantum well lasers
O. Gilard, F. Lozes-Dupuy, G. Vassilieff, S. Bonne American Institute of Physics 1999 Journal of Applied Physics Vol.86 No.11
Theoretical study of Auger effect in 1.5 μm quantum-well lasers
O. Gilard, F. Lozes-Dupuy, G. Vassilieff, J. Barra American Institute of Physics 1998 Journal of Applied Physics Vol.84 No.5
Square lattice W1 waveguide photonic crystals lasers for telecommunications [5840-128]
Gauthier-Lafaye, O., Bonnefont, S., Lozes-Dupuy, F International Society for Optical Engineering; 1999 2005 Progress in Biomedical Optics and Imaging Vol.5840 No.2
Theoretical analysis of the influence of the barrier compositon on properties of GaInAs/GaInp laser diodes.
Leymarie, H.,Bonnefont, S.,Lozes-Dupuy, F.,Saint C unknown 1995 IEE proceedings. Optoelectronics.Optoelectronics Vol.142 No.1
A FREQUENCY STABILIZED SEMICONDUCTOR LASER MICROSOURCE BASED ON MOEMS TECHNOLOGY
Arguel, P., Bonnefont, S., Lozes-Dupuy, F., Dellea IEEE 2003 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE Vol.26 No.1
Theoretical analysis of the influence of the barrier composition on properties of GaInAs/GaInAsP/GaInP laser diodes
Leymarie, H., Bonnefont, S., Lozes-Dupuy, F., Sain IEE 1994 IEE proceedings Optoelectronics Vol.142 No.1
A Monolithic Optical Phase-Shift Detector on Silicon
Arguel, P., Valentin, J., Fourment, S., Lozes-Dupu IEEE 2005 IEEE Sensors Journal Vol.5 No.6
ANALYSIS OF THE SENSITIVITY OF A MONOLITHIC OPTICAL PHASE-SHIFT DETECTOR TO GEOMETRICAL PARAMETER VARIATIONS
Valentin, J., Arguel, P., Bouchard, O., Lozes-Dupu IEEE, 2005 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE Vol.28 No.1
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