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Determination of the Absolute Value of the Semiconductor Surface Potential by the Quasi-Static Capacitance-Voltage Characteristics of an MIS Structure
Zhdan, A. G., Kukharskaya, N. F., Chucheva, G. V. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2003 Semiconductors Vol.37 No.6
Manifestation of excess centers of electron-hole pair generation resulting from field and thermal stresses and their subsequent annihilation in dynamic current-voltage characteristics of Si-MOS structures with ultrathin oxide
Goldman, E. I., Kukharskaya, N. F., Narishkina, V. Springer Science + Business Media 2011 Semiconductors Vol.45 No.7
Reconstruction of dependences of the tunneling current on the oxide voltage using the dynamic current-voltage characteristics of the n +-Si-SiO2-n-Si heterostructures
Zhdan, A. G., Kukharskaya, N. F., Naryshkina, V. G Springer Science + Business Media 2007 Semiconductors Vol.41 No.9
Determining the thermal generation rate of minority charge carriers at semiconductor-ultrathin oxide interfaces
Goldman, E. I., Kukharskaya, N. F., Naryshkina, V. Springer Science + Business Media 2011 Instruments and experimental techniques Vol.54 No.6
Improving the Accuracy in Determining the Insulator Capacitance in Metal-Insulator-Semiconductor Structures
Zhdan, A. G., Kukharskaya, N. F., Chucheva, G. V. Kluwer Academic Publishers 2004 Instruments and experimental techniques Vol.47 No.6
Elimination of Systematic Measurement Inaccuracy in Voltage-Capacitance Spectroscopy of Semiconductor/Insulator Interface
Zhdan, A. G., Kukharskaya, N. F., Chucheva, G. V. KLUWER ACADEMIC/PLENUM PUBLISHERS 2002 Instruments and experimental techniques Vol.45 No.2
Determining the Surface Electrostatic Potential s of a Dielectric-Bordering Semiconductor Using the Method of s /s Diagrams
Zhdan, A. G., Kukharskaya, N. F., Chucheva, G. V. Kluwer Academic Publishers 2003 Instruments and experimental techniques Vol.46 No.2
The effect of imaging forces in ultra thin gate insulator on the tunneling current and its oscillations at the region of transition from the direct tunneling to the Fowler-Nordheim tunneling
Goldman, E. I., Kukharskaya, N. F., Zhdan, A. G. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 Solid-State Electronics Vol.48 No.5
Reconstruction of the potential profile in an insulating layer using current-voltage characteristics of tunneling MIS diodes
Goldman, E. I., Zhdan, A. G., Kukharskaya, N. F., Springer Science + Business Media 2008 Semiconductors Vol.42 No.1
Improvements in the Quasi-static Capacitance-Voltage Characterization of Semiconductor-Insulator Interface States (Si/SiO2)
Gulyaev, I. B., Zhdan, A. G., Kukharskaya, N. F., Kluwer Academic Publishers 2004 RUSSIAN MICROELECTRONICS C/C OF MIKROELEKTRONIKA Vol.33 No.4
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