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Transition Temperature and Upper Critical Field of Superlattices of Dirty Superconductors with Different Debye Cut-Off Frequencies
Kuboya, K Physical Society of Japan 1997 Journal of the Physical Society of Japan Vol.66 No.10
MOVPE and characterization of InAsN/GaAs multiple quantum wells
Kuboya, S., Thieu, Q. T., Ono, W., Nakajima, F., K Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 Journal of crystal growth Vol.298 No.-
Crystalline quality improvement of face-to-face annealed MOVPE-grown AlN on vicinal sapphire substrate with sputtered nucleation layer
Kuboya, Shigeyuki, Uesugi, Kenjiro, Shojiki, Kanak Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2020 Journal of crystal growth Vol.545 No.-
Carrier-concentration dependent photoluminescence of InAsN films grown by RF-MBE
Kuboya, S., Kuroda, M., Katayama, R., Onabe, K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2011 Journal of crystal growth Vol.323 No.1
III-V-N alloys grown by MOVPE in H~2 and N~2 mixed carrier gases (Invited Paper) [8268-17]
Kuboya, S., Thieu, Q.T., Sanorpim, S., Katayama, R International Society for Optical Engineering; 1999 2012 Proceedings of SPIE, the International Society for Vol.8268 No.-
Optical properties of narrow-bandgap dilute nitrides (Invited Paper) [7945-45]
Kuboya, S., Kuroda, M., Thieu, Q.T., Katayama, R. International Society for Optical Engineering; 1999 2011 Proceedings of SPIE, the International Society for Vol.7945 No.-
MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN QDs
Kuboya, S., Takahashi, S., Thieu, Q. T., Nakajima, John Wiley & Sons, Ltd 2008 Physica Status Solidi C Vol.5 No.6
MOVPE growth of InAsN films on GaAs(001) substrates with an InAs buffer layer
Kuboya, S., Nakajima, F., Katayama, R., Onabe, K. John Wiley & Sons, Ltd 2006 Physica status solidi. B Vol.243 No.7
InAsN quantum dots grown on GaAs(001) substrates by MOVPE
Kuboya, S., Thieu, Q. T., Nakajima, F., Katayama, John Wiley & Sons, Ltd 2007 Physica Status Solidi C Vol.4 No.7
Upper critical field and transition temperature of superconducting/ferromagnetic superlattices
Kuboya, K. AMERICAN PHYSICAL SOCIETY 1998 Physical Review B Vol.57 No.10
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