RISS 처음 방문이세요?
학술연구정보서비스 검색
MyRISS
회원서비스
설정
About RISS
RISS 처음 방문 이세요?
고객센터
RISS 활용도 분석
최신/인기 학술자료
해외자료신청(E-DDS)
RISS API 센터
해외전자정보서비스 검색
Databases & Journals
해외전자자료 이용안내
해외전자자료 통계
http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
최근 검색 목록
통합검색 DB 원하는 DB만 선택하여 검색하실 수 있습니다.
A~C
D~L
M~W
- 해외DB품목별 바로가기 버튼()을 통하여 직접 접속 하시면, 접근 권한이 있는 이용자에 한해 DB별 검색 가능
- JCR, PML, ProQuest Central 품목은 체크박스에 개별 선택을 통한 제한 검색 불가
※ 구독기관 소속 이용자에 한하여 품목명 오른편의 바로가기 버튼() 으로 직접 접속이 가능하며, JCR은 통합검색 후 출력되는 화면 내에서도 이용 가능
개별검색 DB통합검색이 안되는 DB는 DB아이콘을 클릭하여 이용하실 수 있습니다.
전분야 전자저널
전분야 신문기사
교육분야
전분야
영어사전
법학분야
통계정보 및 조사/분석시스템
해외석박사학위논문 목록
해외석박사학위논문 원문
예술 / 패션
법률/뉴스정보(미국, 영연방)
법률/뉴스정보(일본)
법률/뉴스정보(중국)
법률/뉴스정보(프랑스)
<해외전자자료 이용권한 안내>
- 이용 대상 : RISS의 모든 해외전자자료는 교수, 강사, 대학(원)생, 연구원, 대학직원에 한하여(로그인 필수) 이용 가능
- 구독대학 소속 이용자: RISS 해외전자자료 통합검색 및 등록된 대학IP 대역 내에서 24시간 무료 이용
- 미구독대학 소속 이용자: RISS 해외전자자료 통합검색을 통한 오후 4시~익일 오전 9시 무료 이용
※ 단, EBSCO ASC/BSC(오후 5시~익일 오전 9시 무료 이용)
RISS 인기검색어
검색결과 좁혀 보기
좁혀본 항목 보기순서
오늘 본 자료
Features of Use of Automatic Film-Processing Devices in Medicine
Koveshnikov, A. I Consultants Bureau 1999 Biomedical engineering Vol.33 No.2
Metal Gated Self-Aligned Gate-Forward nMOSFET with 0.8 nm EOT Fabricated by In-Situ Ar/O~2 Plasma Oxidation of PVD Hf
Koveshnikov, S., Tsai, W., Zhang, M., Choi, C., Le Pennington, N.J.:; Electrochemical Society, 2005 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.- No.1
Iron diffusivity in Silicon
Koveshnikov, Sergei V.,Rozgonyi, George A. American Institute of Physics 1995 Applied Physics Letters Vol.66 No.7
Metal Gated Self-aligned Gate-forward nMOSFET with <or=0.8 nm EOT Fabricated by In-Situ Ar/O~2 Plasma Oxidation of PVD Hf
Koveshnikov, S., Tsai, W., Zhang, M., Choi, C., Le Pennington, NJ:; Electrochemical Society, 2005 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.5 No.-
Response to "Comment on 'Iron Diffusivity in Silicon
Koveshnikov, Sergei,Rozgonyi, George American Institute of Physics 1996 Applied Physics Letters Vol.68 No.13
Investigation of Electronic States in Copper Doped p-Type Si
Koveshnikov, S., Pan, Y., Mollenkopf, H. The Society 1996 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.96-13 No.-
Gettering of Cu and Ni in Mega-electron-volt ion-implanted Epitaxial Silicon
Koveshnikov, Sergei,Kononchuk, Oleg American Institute of Physics 1998 Applied Physics Letters Vol.73 No.16
Metastability of Electronic Properties of Interfacial Defects in Si/Si)Ge) Heterostructures
Koveshnikov, S. V.,Agarwal, A.,Rozgonyi, G. A. The Society 1993 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.94-1 No.-
Investigation of Electronic States and Minority Carrier Diffusion Length in p-type Si: Impact of Cross-Contamination with Copper and Iron
Koveshnikov, S., Mollenkopf, H. The Society 1996 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.- No.2
Thermal stability of electrical and structural properties of GaAs-based metal-oxide-semiconductor capacitors with an amorphous LaAlO~3 gate oxide (3 pages)
Koveshnikov, S., Adamo, C., Tokranov, V., Yakimov, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2008 Applied Physics Letters Vol.93 No.1
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료