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Kotlyarevsky, I. L.,Vasilevsky, S. F. CIC 1994 INTERNATIONAL CONFERENCE ON CHEMISTRY IN INDUSTRY Vol.2 No.2
Kinetics of Defect Formation in ZnO Subjected to a Flux of Oxygen Radicals
Kotlyarevsky, M. B., Rogozin, I. V., Marakhovskii, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2005 Semiconductors Vol.39 No.6
Kinetics of High-Temperature Defect Formation in ZnO in the Stream of Oxygen Radicals
Kotlyarevsky, M. B., Rogozin, I. V., Marakhovsky, Dordrecht; Great Britain:; Springer, 2005 NATO SCIENCE SERIES SUB SERIES 2 MATHEMATICS PHYSI Vol.194 No.-
Dynamics of temperature fields during Wigner energy release in bulk graphite irradiated at low temperature
Pavliuk, A.O., Kotlyarevsky, S.G., Bespala, E.V., Elsevier Science B.V., Amsterdam 2019 Journal of Nuclear Materials Vol.515 No.-
Characteristics of nitrogen-doped p-ZnO thin films and ZnO/ZnSe p-n heterojunctions grown on a ZnSe substrate
Rogozin, I.V., Kotlyarevsky, M.B. IOP PUBLISHING LTD 2008 Semiconductor science and technology Vol.23 No.8
Radical-Beam Gettering Epitaxy of ZnO Films under UV Irradiation
Georgobiani, A. N., Kotlyarevsky, M. B., Rogozin, Springer Science + Business Media 2005 Inorganic Materials Vol.41 No.6
Application of Void-Free Filling Technology for Additional Safety Barriers Creation during Uranium-Graphite Reactors Decommissioning
Izmestiev, A., Pavliuk, A., Kotlyarevsky, S. Trans Tech Publications. 2014 Advanced Materials Research Vol.2015 No.1084
Methods of High-Energy Chemistry in the Technology of Wide-Gap Chalcogenide Semiconductors
Georgobiani, A. N., Kotlyarevsky, M. B., Rogozin, Kluwer Academic Publishers 2004 Inorganic Materials Vol.40 No.SUPP
Phase content and photoluminescence of ZnO layers obtained on ZnSe substrates by radical-beam gettering epitaxy
Georgobiani, A. N.,Kotlyarevsky, M. B.,Rogozin, I. North-Holland 1999 Nuclear Physics B. Proceedings Supplements Vol.78 No.-
X-ray photoelectron spectroscopy of gallium nitride films grown by radical-beam gettering epitaxy
Rogozin, I. V., Kotlyarevsky, M. B. Springer Science + Business Media 2007 Semiconductors Vol.41 No.5
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