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Oxide Thickness Dependence of Interface Trap Generation in a Metal-Oxide-Semiconductor Structure during Substrate Hot-Hole Injection
Khosru, Quazi Deen Mohd,Yasuda, Naoki,Taniguchi, K American Institute of Physics 1993 Applied Physics Letters Vol.63 No.18
Effects of Intercalation on the Electronic Properties of Multilayer Tmdc Materials
Khosru, Quazi D. M., Datta, Kanak Electrochemical Society 2016 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.2016 No.229
Study of Electrostatics and Transport Properties of Multigate Graded Nanowire Channel MOSFETs
Khosru, Quazi D. M., Khan, Saeed Uz Zaman, Datta Electrochemical Society 2016 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.2016 No.229
Organic Contamination Dependence of Process-Induced Interface Trap Generation in Ultrathin Oxide Metal Oxide Semiconductor Transistors
Khosru, Q. D. M., Yokoyama, S., Nakajima, A., Shib JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 2003 Japanese Journal of Applied Physics Vol.42 No.401
Khosru, Q. D. M., Khan, S. U. Z., Datta, K. The Electrochemical Society 2016 ECS Transactions Vol.2016 No.72
Capacitance-Voltage Characteristics of Gate-All-Around In~xGa~1~-~XAs Nanowire Transistor
Khosru, Q.D.M., Khan, S.U.Z., Hossain, M.S., Rahma Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2013 ECS Transactions Vol.53 No.1
High-quality NH3-annealed atomic layer deposited Si-nitride/SiO2 stack gate dielectrics for sub-100 nm technology generations
Khosru, Q. D., Nakajima, A., Yoshimoto, T., Yokoya PERGAMON PRESS 2002 Solid-State Electronics Vol.46 No.10
Reliable extraction of the energy distribution of Si/SiO~2 interface traps in ultrathin metal-oxide-semiconductor structures
Khosru, Q. D. M., Nakajima, A., Yoshimoto, T., Yok AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2002 Applied Physics Letters Vol.80 No.21
Interface State Generation and Annihilation in Thin Film p-Channel MOSFETs
Khosru, Q. D. M., Yasuda, N., Taniguchi, K., Hamag Nihon Gakkai jimu center 1992 SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS Vol.8 No.-
Thermal and field enhanced emission of trapped holes in thin SiO~2 films
Khosru, Q. D. M., Taniguchi, K., Hamaguchi, C. IEEE 1996 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR ELE Vol.2 No.-
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