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Kanashima, M. BLACKWELL SCIENTIFIC PUBL 1995 The Scandinavian journal of clinical & laboratory Vol.- No.223
Characterization of Interface States of HfO~2/Ge with Fluorine Treatment by Using DLTS/ICTS
Kanashima, T., Yoshioka, Y., Lee, D., Okuyama, M. Pennington; Electrochemical Society 2010 ECS Transactions Vol.33 No.6
Fixed-Oxide-Charge Characterization by Photoreflec-tance Spectroscopy in HfO~2 on Ge treated by Fluorine
kanashima, T., Lee, H., Mori, Y., Imajo, H., Okuya New York; Electrochemical Society 2008 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.214 No.6
Ferroelectric Gate FET Memory Based on Conduction of SBT-SiON Interface
Kanashima, T., Lee, B.-Y., Minami, T., Okuyama, M. Warrendale, Penn; Materials Research Society 2006 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.947-988 No.-
Kanashima, T., Yoshioka, Y., Lee, D., Okuyama, M. Pennington, NJ; Electrochemical Society 2010 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.- No.218
Columnar Growth of BiFeO3 Films Prepared by Magnetic-field-assisted Pulsed Laser Deposition
Kanashima, T., Park, J. M., Ricinschi, D., Okuyama Taylor & Francis 2014 Ferroelectrics Vol.466 No.1
Preparation of HfO~2 Thin Films by Using Photoassisted MOCVD and Their Characterization by Using Photoreflectance Spectroscopy
Kanashima, T., Lee, H., Okuyama, M. Korean Physical Society; 1999 2007 JOURNAL- KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.51 No.2
Theoretical Analysis of Hydrogen-Related Defects in SiO~2 Thin Film by Molecular Orbital Method
Kanashima, T., Okuyama, M., Hamakawa, Y. Business Center for Academic Societies 1996 SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS Vol.8 No.-
Characterization of F~2 Treatment Effects on Si (100)/SiO~2 Interface
Kanashima, T., Kurioka, Y., Imai, T., Yamamoto, H. The Institute 1996 PROCEEDINGS OF SYMPOSIUM ON DRY PROCESS Vol.18 No.-
Organic ferroelectric gate field-effect transistor memory using high-mobility rubrene thin film
Kanashima, T., Katsura, Y., Okuyama, M. JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2014 Japanese Journal of Applied Physics Vol.53 No.4S
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