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Strong element dependence of C 1s and Si 2p X-ray photoelectron diffraction profiles for identical C and Si local geometries in �SiC
Juillaguet, S. ELSEVIER 1995 Surface science Vol.339 No.3
Cathodoluminescence investigation of stacking faults extension in 4H-SiC
Juillaguet, S., Albrecht, M., Camassel, J., Chassa John Wiley & Sons, Ltd 2007 Physica Status Solidi. A Vol.204 No.7
Electric-Field Screening Effects in the Micro-Photoluminescence Spectra of As-Grown Stacking Faults in 4H-SiC
Juillaguet, S., Guillet, T., Bardoux, R., Camassel Transtec Publications; 1999 2007 Materials Science Forum Vol.556-557 No.-
Specific Aspects of Type II Heteropolytype Stacking Faults in SiC
Juillaguet, S., Camassel, J. Transtec Publications; 1999 2005 Materials Science Forum Vol.483-485 No.-
Raman Investigation of Aluminum-Doped 4H-SiC
Juillaguet, S., Kwasnicki, P., Peyre, H., Konczewi Transtec Publications; 1999 2013 Materials Science Forum Vol.740-742 No.-
Dilute Aluminium Concentration in 4H-SiC: from SIMS to LTPL Measurements
Juillaguet, S., Zielinski, M., Balloud, C., Sartel Uetikon-Zuerich, Switzerland; Great Britain; Trans Tech Publications 2004 Materials Science Forum Vol.457-460 No.-
Optical Investigation of Stacking Faults and Micro-Crystalline Inclusions In-Low-Doped 4H-SiC Layers
Juillaguet, S., Balloud, C., Pernot, J., Sartel, C Uetikon-Zuerich, Switzerland; Great Britain; Trans Tech Publications 2004 Materials Science Forum Vol.457-460 No.-
Screening the built-in electric field in 4H silicon carbide stacking faults (3 pages)
Juillaguet, S., Camassel, J., Albrecht, M., Chassa AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2007 Applied Physics Letters Vol.90 No.11
Control of epitaxial layers grown on 4H - SiC: from 3C microcrystalline inclusions to type II quantum well structures
Juillaguet, S., Balloud, C., Souliere, V., Sartel, ACADEMIC VERLAG GMBH 2005 Physica Status Solidi. A Vol.202 No.4
Optical investigation of stacking faults in 4H-SiC epitaxial layers: Comparison of 3C and 8H polytypes
Juillaguet, S., Robert, T., Camassel, J. Elsevier Science B.V., Amsterdam 2009 Materials Science and Engineering B Vol.165 No.1-2
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