RISS 처음 방문이세요?
학술연구정보서비스 검색
MyRISS
회원서비스
설정
About RISS
RISS 처음 방문 이세요?
고객센터
RISS 활용도 분석
최신/인기 학술자료
해외자료신청(E-DDS)
RISS API 센터
해외전자정보서비스 검색
Databases & Journals
해외전자자료 이용안내
해외전자자료 통계
http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
최근 검색 목록
통합검색 DB 원하는 DB만 선택하여 검색하실 수 있습니다.
A~C
D~L
M~W
- 해외DB품목별 바로가기 버튼()을 통하여 직접 접속 하시면, 접근 권한이 있는 이용자에 한해 DB별 검색 가능
- JCR, PML, ProQuest Central 품목은 체크박스에 개별 선택을 통한 제한 검색 불가
※ 구독기관 소속 이용자에 한하여 품목명 오른편의 바로가기 버튼() 으로 직접 접속이 가능하며, JCR은 통합검색 후 출력되는 화면 내에서도 이용 가능
개별검색 DB통합검색이 안되는 DB는 DB아이콘을 클릭하여 이용하실 수 있습니다.
전분야 전자저널
전분야 신문기사
교육분야
전분야
영어사전
법학분야
통계정보 및 조사/분석시스템
해외석박사학위논문 목록
해외석박사학위논문 원문
예술 / 패션
법률/뉴스정보(미국, 영연방)
법률/뉴스정보(일본)
법률/뉴스정보(중국)
법률/뉴스정보(프랑스)
<해외전자자료 이용권한 안내>
- 이용 대상 : RISS의 모든 해외전자자료는 교수, 강사, 대학(원)생, 연구원, 대학직원에 한하여(로그인 필수) 이용 가능
- 구독대학 소속 이용자: RISS 해외전자자료 통합검색 및 등록된 대학IP 대역 내에서 24시간 무료 이용
- 미구독대학 소속 이용자: RISS 해외전자자료 통합검색을 통한 오후 4시~익일 오전 9시 무료 이용
※ 단, EBSCO ASC/BSC(오후 5시~익일 오전 9시 무료 이용)
RISS 인기검색어
검색결과 좁혀 보기
좁혀본 항목 보기순서
오늘 본 자료
1.55 mum monolithic GaInNAs semiconductor saturable absorber
Jouhti, T., Konttinen, J., Karirinne, S., Okhotnik THE INSTITUTION OF ELECTRICAL ENGINEERS 2003 IEE proceedings Optoelectronics Vol.150 No.1
Group III-arsenide-nitride quantum well structures on GaAs for laser diodes emitting at 1.3 mum [4651-06]
Jouhti, T., Peng, C. S., Pavelescu, E.-M., Li, W. International Society for Optical Engineering; 1999 2002 Progress in Biomedical Optics and Imaging Vol.- No.4651
Strain-Compensated GaInNAs Structures for 1.3-mum Lasers (Invited Paper)
Jouhti, T., Peng, C. S., Pavelescu, E.-M., Konttin IEEE Service Center; 1999 2002 IEEE journal of selected topics in quantum electro Vol.8 No.4
Dynamics of photoluminescence in GaInNAs saturable absorber mirrors
Harkonen, A., Jouhti, T., Tkachenko, N. V., Lemmet SPRINGER-VERLAG 2003 APPLIED PHYSICS A MATERIALS SCIENCE AND PROCESSING Vol.77 No.7
Carrier Profiling and Crystal Quality Evaluation of Thin Al~xGa~1~-~xAs (0.22/x
Fedorenko, Y., Jouhti, T., Konttinen, J., Likonen, ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC 2003 Journal of the Electrochemical Society Vol.150 No.7
Growth-temperature-dependent (self-)annealing-induced blueshift of photoluminescence from 1.3 mum GaInNAs/GaAs quantum wells
Pavelescu, E.-M., Jouhti, T., Dumitrescu, M., Klar AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2003 Applied Physics Letters Vol.83 No.8
Optimisation of growth temperature and post-growth annealing for GaInNAs/GaNAs
Fedorenko, Y., Jouhti, T., Pavelescu, E. M., Karir Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 Thin Solid Films Vol.440 No.1-2
Doping impurity distribution and crystal quality evaluation of AlGaAs:Si films (0.22x
Fedorenko, Y., Jouhti, T., Konttinen, J., Likonen, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 Thin Solid Films Vol.428 No.1-2
Elucidation of the emission red-shift with increasing growth temperature of MBE-grown GaInNAs/GaAs quantum wells
Pavelescu, E.-M., Dumitrescu, M., Jouhti, T., Wagn THE INSTITUTION OF ELECTRICAL ENGINEERS 2004 IEE proceedings Optoelectronics Vol.151 No.5
A new method to suppress the In diffusion of InGaNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
Peng, C. S., Jouhti, T., Pavelescu, E. M., Konttin Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 Thin Solid Films Vol.428 No.1-2
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료