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S. W. Russell, J. W. Strane, J. W. Mayer, S. Q. Wa American Institute of Physics 1994 Journal of Applied Physics Vol.76 No.1
Metastable SiC and SiGeC Alloys by Carbon Implantation and Solid Phase Epitaxy
Strane, J. W.,Edwards, W. J.,Mayer, J. W.,Stein, H Materials Research Society 1992 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.280 No.-
SILICON DIFFUSION AT POLYCRYSTALLINE-SI/GAAS INTERFACES
K. L. Kavanagh, J. W. Mayer, C. W. Magee, J. Sheet American Institute of Physics 1985 Applied Physics Letters Vol.47 No.11
A semiparametric panel data model for markets in disequilibrium
Mayer, W. J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 Economics letters Vol.86 No.3
GRAIN-SIZE DEPENDENCE IN A SELF-IMPLANTED SILICON LAYER ON LASER IRRADIATION ENERGY DENSITY
W. F. Tseng, J. W. Mayer, S. U. Campisano, G. Foti American Institute of Physics 1978 Applied Physics Letters Vol.32 No.12
PRODUCTION AND ANNEALING OF LATTICE DISORDER IN SILICON BY 200-KEV BORON IONS
J. E. Westmoreland, J. W. Mayer, F. H. Eisen, B. W American Institute of Physics 1969 Applied Physics Letters Vol.15 No.9
EXPERIMENTAL EVIDENCE FOR INTERSTITIAL IN AND T1 IN ION-IMPLANTED SILICON
J. A. Davies, L. Eriksson, J. W. Mayer American Institute of Physics 1968 Applied Physics Letters Vol.12 No.8
A COMPARISON OF HOT IMPLANTATION BEHAVIOR OF SEVERAL GROUP-3 AND -V ELEMENTS IN SI AND GE
J. W. Mayer, J. A. Davies, L. Eriksson American Institute of Physics 1967 Applied Physics Letters Vol.11 No.12
OBSERVATION OF NEGATIVE RESISTANCE IN LONG SILICON P-PI-N DIODES ( EFFECT OF GE-FILTERED LIGHT - E/T )
J. W. Mayer, R. Baron, O. J. Marsh American Institute of Physics 1965 Applied Physics Letters Vol.6 No.2
Ion-beam-induced reactions in metal-semiconductor and metal-metal thin film structures
Mayer, J.W., Tsaur, B.Y., Lau, S.S., Hung, L.-S. North Holland Pub. Co 1981 Nuclear instruments & methods Vol.182-183 No.1
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