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Zheng, Yongju, Isaacs-smith, Tamara, Ahyi, Ayay Electrochemical Society 2017 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.2017 No.231
High temperature characteristics of nitric oxide annealed p-channel 4H-SiC metal oxide semiconductor field effect transistors
Das, Suman, Isaacs-Smith, Tamara, Ahyi, Ayayi, Kur American Institute of Physics 2021 Journal of Applied Physics Vol.130 No.22
Aluminum Nitride for 6H-SiC Power Devices
Tin, C.-C., Isaacs-Smith, T., Song, Y., Luckowski, AIP 1997 AIP Conference Proceedings Series Vol.387 No.2
AIAA-2006-4138 Poss® Coatings as Replacements for Solar Cell Cover Glasses
Brandhorst, H., Isaacs-Smith, T., Wells, B., Licht AIAA, 2006 INTERNATIONAL ENERGY CONVERSION ENGINEERING CONFER Vol.4 No.2
4H-SiC MOSFETs With Borosilicate Glass Gate Dielectric and Antimony Counter-Doping
Zheng, Y., Isaacs-Smith, T., Ahyi, A. C., Dhar, S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 IEEE electron device letters Vol.38 No.10
Rectifying Contacts to N-Type 6H and 4H-SIC
Luckowski, E. D., Isaacs-Smith, T., Williams, J. R AIP 1997 AIP Conference Proceedings Series Vol.387 No.2
Thin PSG Process for 4H-SiC MOSFET
Sharma, Y.K., Ahyi, A.C., Isaacs-Smith, T., Modic, Transtec Publications; 1999 2014 Materials Science Forum Vol.778-780 No.1
High Frequency Inversion Capacitance Measurements for 6H-SiC n-MOS Capacitors from 450 to 600^oC
Ghosh, R.N., Loloee, R., Isaacs-Smith, T., William Stafa-Zurich; United Kingdom; Trans Tech Publications 2008 Materials Science Forum Vol.600-603 No.-
Formation, etching and electrical characterization of a thermally grown gallium oxide on the Ga-face of a bulk GaN substrate
Zhou, Y., Ahyi, C., Isaacs-Smith, T., Bozack, M., Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 Solid-State Electronics Vol.52 No.5
Passivation of Oxide Layers on 4H-SiC Using Sequential Anneals in Nitric Oxide and Hydrogen
Williams, J. R., Isaacs-Smith, T., Wang, S., Ahyi, Warrendale, Pa.:; Materials Research Society, 2004 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.786 No.-
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