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Adesida, I.,Zhou, L.,Osinsky, A.,Yang, J. W.,Khan, Institute of Pure and Applied Physics 2000 IPAP CONFERENCE SERIES Vol.- No.1
AlGaN/GaN HFETs for low noise applications
Adesida, I.,Lu, W.,Kumar, V. IEEE Press 2001 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID STATE AND INTEGR Vol.6 No.2
MONTE-CARLO SIMULATION OF ELECTRON PENETRATION THROUGH THIN-FILMS OF PMMA
I. Adesida, R. Shimizu, T. E. Everhart American Institute of Physics 1978 Applied Physics Letters Vol.33 No.10
InP-HEMT-based digital circuit technology (invited)
Adesida, I.,Mahajan, A. Kluwer Academic Publishers 1997 NATO ASI SERIES 3 HIGH TECHNOLOGY Vol.48 No.-
GaN heterostructure field effect transistors
Adesida, I.,Ping, A. T. Microwave Engineering Europe 1998 GAAS -CONFERENCE PROCEEDINGS- Vol.10 No.-
Fabrication of InP/InGaAs-based Nanostructures
Adesida, I.,Panepucci, R.,Gu, S.,Turnbull, D. A. Electrochemical Society 1995 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.95-17 No.-
Ion bombardment of resists
Adesida, I. North-Holland Pub. Co 1983 Nuclear instruments & methods in physics research Vol.209-210 No.1
Dry and Wet Etching for Group III Nitrides
Adesida, I.,Youtsey, C.,Ping, A. T.,Khan, F. Materials Research Society 1998 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.537 No.-
GaN Electronics with High Electron Mobility Transistors
Adesida, I., Kumar, V., Lee, J.-W., Kuliev, A., Sc Piscataway, NJ:; Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS Vol.24 No.1
A High Performance InAlAs/InGaAs/InP HEMT/MSM-based OEIC Photoreceivers
Adesida, I.,Fay, P.,Wohlmuth, W.,Caneau, C. IEEE 1995 Technical digest Vol.12 No.-
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