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Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs
Hospodková, A., Oswald, J., Pangrác, J., Kuldová, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2016 Physica. B, Condensed matter Vol.480 No.-
InAs/GaSb
Hospodková, A., Hulicius, E., Pangrác, J., Dominec Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2017 Journal of crystal growth Vol.464 No.-
Graded GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
Hospodková,, A., Zí,ková,, M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 Journal of crystal growth Vol.370 No.-
Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters
Hospodková, Alice Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2023 Journal of crystal growth Vol.605 No.-
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
Hospodková,, A., Hulicius, E., Pangr Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 Journal of crystal growth Vol.312 No.8
Growth of InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb in multiple structures studied by reflectance anisotropy spectroscopy
Hospodková, A., Pangrác, J., VyskoÄ�il, J., ZÃk Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2015 Journal of crystal growth Vol.414 No.-
Influence of strain reducing layers on electroluminescence and photoluminescence of InAs/GaAs QD structures
Hospodková,, A., Pangrá,c, J., Oswal Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2011 Journal of crystal growth Vol.315 No.1
InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime
Hospodková,, A., Pangrá,c, J., Vysko Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2011 Journal of crystal growth Vol.317 No.1
A secret luminescence killer in deepest QWs of InGaN/GaN multiple quantum well structures
Hospodková, A., Hájek, F., Pangrác, J., Slavická Z Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2020 Journal of crystal growth Vol.536 No.-
The Application of the Total Cost of Ownership Approach to Medical Equipment—Case Study in the Czech Republic
Hospodková, Petra, Vochyánová, Aneta Springer 2018 IFMBE PROCEEDINGS Vol.2019 No.68
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