RISS 처음 방문이세요?
학술연구정보서비스 검색
MyRISS
회원서비스
설정
About RISS
RISS 처음 방문 이세요?
고객센터
RISS 활용도 분석
최신/인기 학술자료
해외자료신청(E-DDS)
RISS API 센터
해외전자정보서비스 검색
Databases & Journals
해외전자자료 이용안내
해외전자자료 통계
http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
최근 검색 목록
통합검색 DB 원하는 DB만 선택하여 검색하실 수 있습니다.
A~C
D~L
M~W
- 해외DB품목별 바로가기 버튼()을 통하여 직접 접속 하시면, 접근 권한이 있는 이용자에 한해 DB별 검색 가능
- JCR, PML, ProQuest Central 품목은 체크박스에 개별 선택을 통한 제한 검색 불가
※ 구독기관 소속 이용자에 한하여 품목명 오른편의 바로가기 버튼() 으로 직접 접속이 가능하며, JCR은 통합검색 후 출력되는 화면 내에서도 이용 가능
개별검색 DB통합검색이 안되는 DB는 DB아이콘을 클릭하여 이용하실 수 있습니다.
전분야 전자저널
전분야 신문기사
교육분야
전분야
영어사전
법학분야
통계정보 및 조사/분석시스템
해외석박사학위논문 목록
해외석박사학위논문 원문
예술 / 패션
법률/뉴스정보(미국, 영연방)
법률/뉴스정보(일본)
법률/뉴스정보(중국)
법률/뉴스정보(프랑스)
<해외전자자료 이용권한 안내>
- 이용 대상 : RISS의 모든 해외전자자료는 교수, 강사, 대학(원)생, 연구원, 대학직원에 한하여(로그인 필수) 이용 가능
- 구독대학 소속 이용자: RISS 해외전자자료 통합검색 및 등록된 대학IP 대역 내에서 24시간 무료 이용
- 미구독대학 소속 이용자: RISS 해외전자자료 통합검색을 통한 오후 4시~익일 오전 9시 무료 이용
※ 단, EBSCO ASC/BSC(오후 5시~익일 오전 9시 무료 이용)
RISS 인기검색어
검색결과 좁혀 보기
좁혀본 항목 보기순서
오늘 본 자료
Detection and Localization of Eu on Biosilica by Analytical Scanning Electron Microscopy
Hieckmann, Ellen, Kammerlander, Kaitlin K. K., Köh Cambridge University Press 2021 Microscopy and Microanalysis Vol.27 No.6
Investigations of internal stresses in high-voltage devices with deep trenches
Ellen Hieckmann , Uwe Mühle , Paul Chekhonin , Ehr American Institute of Physics 2020 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.38 No.6
Scaling effects in the plasticity of nickel
Hollang, L., Hieckmann, E., Brunner, D., Holste, C Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2006 Materials Science and Engineering A Vol.424 No.1-2
Strain-rate sensitivity of additive-free pulsed-electrodeposited nickel during cyclic loading
Hollang, L., Hieckmann, E., Holste, C., Skrotzki, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 Materials Science and Engineering A Vol.483-484 No.-
Oxygen gettering at defects introduced by plastic deformation in silicon
Yarykin, N., Hieckmann, E., Vdovin, V. I. John Wiley & Sons, Ltd 2007 Physica Status Solidi C Vol.4 No.8
On the capability of deep level transient spectroscopy for characterizing multi-crystalline silicon
Mchedlidze, T., Nacke, M., Hieckmann, E., Weber, J American Institute of Physics 2014 Journal of Applied Physics Vol.115 No.1
Quasi-ordered nanostructures on the surface of strontium titanate
Kulagin, N. A., Hieckmann, E., Dojcilovic, J. Springer Science + Business Media 2010 Physics of the solid state Vol.52 No.12
On the Electrical Characterization of Grain Boundaries in Multicrystalline Silicon
Chen, J., Cornagliotti, E., Hieckmann, E., Behrend Pennington, NJ; Electrochemical Society 2010 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.- No.218
Schottky contacts on differently grown n-type ZnO single crystals (3 pages)
Kolkovsky, V., Scheffler, L., Hieckmann, E., Lavro AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2011 Applied Physics Letters Vol.98 No.8
Properties of hydrogen induced voids in silicon
Weber, J., Fischer, T., Hieckmann, E., Hiller, M. IOP PUBLISHING LTD 2005 Journal of Physics, Condensed Matter Vol.17 No.22
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료