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SHALLOW SI P(+)-N JUNCTIONS FABRICATED BY FOCUSED ION-BEAM GA+ IMPLANTATION THROUGH THIN TI AND TISI2 LAYERS
H. C. Mogul, A. J. Steckl, S. W. Novak American Institute of Physics 1993 Journal of Applied Physics Vol.74 No.4
Electrical and Physical Characterization of Deuterium sinter on Submicron Devices
Mogul, H. C.,Cong, L.,Wallace, R. M. American Institute of Physics 1998 Applied Physics Letters Vol.72 No.14
Electrical Properties of Si p^+-n Junctions for Sub-0.25 � CMOS Fabricated by Ga FIB Implantation
Mogul, H. C. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1993 IEEE transactions on electron devices Vol.40 No.10
Electrochemical Capacitance-voltage Depth Profiling of Nanometer-Scale Layers Fabricated by Ga+ Focused Ion Beam Implantation into Silicon
Mogul, H. C.,Steckl, A. J.,Webster, Gyles. American Institute of Physics 1992 Applied Physics Letters Vol.61 No.5
Light Emission and Related Materials Properties of Siloxene and Si-Based Zeolites
Mogul, H. C.,Xu, J.,Steckl, A. J.,Clarson, S. J. Electrochemical Society 1994 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.10 No.-
Advantages of LDD-Only Implanted Fluorine with Submicron CMOS Technologies
Mogul, H. C. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1997 IEEE transactions on electron devices Vol.44 No.3
Rapid Thermal Annealing Effects on Si p^+-n Junctions Fabricated by Low-Energy FIB Ga^+ Implantation
Mogul, H. C. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1993 IEEE electron device letters Vol.14 No.3
Building-In Reliability into VLSI Junctions
Mogul, H. C. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1997 IEEE transactions on semiconductor manufacturing Vol.10 No.4
changes in the refractive index of fused silica due to implantation of transition-metal ions
R.F. Haglund, H.c. Mogul, R.A. Weeks, R.A. Zuhr North-Holland 1991 Journal of non-crystalline solids Vol.130 No.3
Visible Photoluminescence from Stain-etched Si Nanostructures
Xu, J., Mogul, H. C., Steckl, A. J. Electrochemical Society 1994 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.94-17 No.-
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