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Study of strain relaxation in InAs/GaAs strained-layer superlattices by Raman spectroscopy and electron microscopy
Gutakovsky, A. K. CSIRO 2000 Australian journal of physics Vol.53 No.5
Epitaxy of Silicon and Germanium-Silicon Solid Solutions onto Porous Silicon
Gutakovsky, A. K.,Romanov, S. I.,Pchelyakov, O. P. Allerton Press 1998 Russian Academy of Sciences. Physics Bulletin Vol.63 No.2
Formation of Thin Layers of PtSi - In-Situ Studies
Fedosenko, E., Gutakovsky, A., Sherstyakova, V., S Electrochemical Society 1998 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.- No.2
Effect of Ga predeposition layer on the growth of GaAs on vicinal Ge(001)
A. K. Gutakovsky, A. V. Katkov, M. I. Katkov, O. P North-Holland Pub. Co 1999 Journal of crystal growth Vol.201 No.-
Structural and Electrophysical Properties of the Platinum Silicide-Silicon Schot
Suprun, S.P. ,Gutakovsky, A.K. ,Torlin, M.A. ,Fedo unknown 1995 Physics of low-dimensional structures Vol.- No.10
Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy
Sabinina, I. V., Gutakovsky, A. K., Sidorov, Y. G. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 Journal of crystal growth Vol.274 No.3-4
Study of the growth mechanism of modulated structures in the InAsGaAs system
Yu.O. Kanter, A.K. Gutakovsky, A.A. Fedorov, M.A. Elsevier BV * North-Holland 1988 Thin Solid Films Vol.163 No.-
Defects in the crystal structure of Cd x Hg1 − x Te layers grown on the Si (310) substrates
Yakushev, M. V., Gutakovsky, A. K., Sabinina, I. V Springer Science + Business Media 2011 Semiconductors Vol.45 No.7
Defect formation during growth of CdTe(111) and HgCdTe films by molecular beam epitaxy
I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, S.A North-Holland Pub. Co 1992 Journal of crystal growth Vol.117 No.1-4
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