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Impact of plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN/GaN HFETs electrical traps
Guhel, Y., Boudart, B., Vellas, N., Gaquière, C., Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 Solid-State Electronics Vol.49 No.10
In situ Raman characterization of CeO2 thin films sputtered on (111) Si in order to optimize the post growth annealing parameters
Guhel, Y., Bernard, J., Boudart, B. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.118 No.-
Raman characterization before and after rapid thermal annealing of CeO2 thin films grown by rf sputtering on (111) Si
Guhel, Y., Ta, M. T., Bernard, J., Boudart, B., Pe John Wiley & Sons, Ltd 2009 Journal of Raman Spectroscopy Vol.40 No.4
DC electrical performance improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutron radiation dose
Guhel, Y., Boudart, B., Gaquiere, C., Vellas, N., IEE 2010 Electronics Letters Vol.46 No.9
Guhel, Y., Boudart, B., Gaquiere, C., Vellas, N., IET 2010 Electronics Letters Vol.46 No.9
Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose
Guhel, Y., Boudart, B., Vellas, N., Gaquiere, C. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.87 No.11
Effects of High Temperature on the Electrical Behavior of AlGaN/GaN HEMTs
Guhel, Y., Boudart, B., Hoel, V., Werquin, M., Gaq JOHN WILEY & SONS LTD 2002 MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS Vol.34 No.1
Comparative studies of Pt and Ir schottky contacts on undoped Al0.36Ga0.64N
Guhel, Y., Boudart, B., Delos, E., Germain, M., Bo Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2006 Microelectronics and reliability Vol.46 No.5-6
Raman Study of the Comparative Effects of Conventional and Microwave Annealing on MgTiO3 Thin Films Sputtered on Si Substrate
Strenaer, Raphaël, Guhel, Yannick, Gharbi, Walid, John Wiley & Sons, Ltd 2022 Physica Status Solidi. A Vol.219 No.11
Resonant Raman scattering study of Ar^+ ion-implanted AlGaN
Boudart, B., Guhel, Y., Pesant, J. C., Dhamelincou IOP PUBLISHING LTD 2005 Journal of Physics, Condensed Matter Vol.17 No.12
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