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Comparison of oxide leakage currents induced by ion implantation and high field electric stress
Goguenheim, D. PERGAMON PRESS 2001 Solid-State Electronics Vol.45 No.8
Hot-Carrier Reliability in n-MOSFETs Used as Pass-Transistors
Goguenheim, D., Bravaix, A., Vuillaume, D., Varrot Editions Frontiers 1996 ESSDERC -CONFERENCE- Vol.26 No.-
Oxide reliability below 3nm for advanced CMOS: Issues, characterization, and solutions
Goguenheim, D., Pic, D., Ogier, J. L. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 Microelectronics and reliability Vol.47 No.9-11
Parmi les livres - La guerre parmi les populations : la fin du modele trinitaire ?
Goguenheim, F. unknown 2008 Defense Nationale et Securite Collective Vol.64 No.10
Comparison of degradation modes in 1.2-2.1 nm thick SiO2 oxides submitted to uniform and hot carrier injections in NMOSFETS
Goguenheim, D., Trapes, C., Bravaix, A. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 Journal of non-crystalline solids Vol.322 No.1-3
La base de defense n'est pas une fin en soi !
Goguenheim, F. Comite d etudes de Defense Nationale 2010 REVUE DEFENSE NATIONALE Vol.- No.728
Temperature and field dependence of stress induced leakage currents in very thin (<5 nm) gate oxides
Goguenheim, D. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 2001 Journal of non-crystalline solids Vol.280 No.1-3
Stress induced leakage currents in N-MOSFETs submitted to channel hot carrier injections
Goguenheim, D. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 1999 Journal of non-crystalline solids Vol.245 No.1-3
Improved Methodology Based on Hot Carriers Injections to Detect Wafer Charging Damage in Advanced CMOS Technologies
Goguenheim, D., Bravaix, A., Gomri, S., Moragues, Piscataway, NJ:; Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. 2004 INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS; 24TH Vol.24 No.2
Impact of wafer charging on hot carrier reliability and optimization of latent damage detection methodology in advanced CMOS technologies
Goguenheim, D., Bravaix, A., Gomri, S., Moragues, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 Microelectronics and reliability Vol.45 No.3-4
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