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Deep Level Characterization of LP-MOCVD Grown Al~0~.~4~8In~0~.~5~2As
Ducroquet, F. MATERIALS RESEARCH SOCIETY 1994 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.325 No.-
Fully Depleted Silicon-on-Insulator nMOSFETs with Tensile Strained High Carbon Content Si1-yCy Channels
Ducroquet, F., Hartmann, J., Tabone, C., Lafond, D Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2006 ECS Transactions Vol.3 No.2
Electrical properties of Si1-yCy/Si/SiO2 interface for sub 50 nm strained-channel nMOSFETs
Ducroquet, F.,Ernst, T.,Weber, O.,Hartmann, J. M. Elsevier 2004 Applied Surface Science Vol.224 No.1-4
Fully Depleted Silicon-on-Insulator nMOSFETs with Tensile Strained High Carbon Content Si~1~-~yC~y Channel
Ducroquet, F., Hartmann, J., Tabone, C., Lafond, D Pennington, N.J.:; The Electrochemical Society, 2006 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.2006 No.2
Full CMP Integration of CVD TiN Damascene Sub 0.1 mum Metal Gate Devices For ULSI Applications
Ducroquet, F. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2001 IEEE transactions on electron devices Vol.48 No.8
17.5 Double SiGe:C Diffusion Barrier Channel 40nm CMOS with Improved Short-Channel Performances
Ducroquet, F., Ernst, T., Hartmann, J.-M., Weber, IEEE 2004 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING Vol.- No.-
Dielectric Properties and Flat-Band Voltages of Doped- HfO~2 Thin Films
Ducroquet, F., Rauwel, E., Brize, V., Dubourdieu, Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2010 ECS Transactions Vol.28 No.2
Ducroquet, F., Ernst, T., Hartmann, J.-M., Weber, IEEE; 1998 2004 Technical digest Vol.2004 No.-
Electrical properties of Si1-yCy/Si
Ducroquet, F., Ernst, T., Weber, O., Hartmann, J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 Applied Surface Science Vol.224 No.1-4
Flatband Voltage and Structural Properties of Hafnium Dioxide Films Grown by Liquid-Injection MOCVD
Ducroquet, F., Rauwel, E., Dubourdieu, C. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2009 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.216^T^H No.4
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