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Deep Level Characterization of LP-MOCVD Grown Al~0~.~4~8In~0~.~5~2As
Ducroquet, F. MATERIALS RESEARCH SOCIETY 1994 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.325 No.-
Dielectric Properties and Flat-Band Voltages of Doped HfO~2
Ducroquet, F., Rauwel, E., Dubourdieu, C. New York; Curran 2010 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.217^T^H No.2
Flatband Voltage and Structural Properties of Hafnium Dioxide Films Grown by Liquid-Injection MOCVD
Ducroquet, F., Rauwel, E., Dubourdieu, C. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2009 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.216^T^H No.4
Admittance Spectroscopy of Si/LaLuO~3 and Si/GdSiO MOS Structures
Ducroquet, F., Engstrom, O., Gottlob, H.D., Lopes, Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2012 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.221 No.1
Dielectric Properties and Flat-Band Voltages of Doped- HfO~2 Thin Films
Ducroquet, F., Rauwel, E., Brize, V., Dubourdieu, Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2010 ECS Transactions Vol.28 No.2
Fully Depleted Silicon-on-Insulator nMOSFETs with Tensile Strained High Carbon Content Si~1~-~yC~y Channel
Ducroquet, F., Hartmann, J., Tabone, C., Lafond, D Pennington, N.J.:; The Electrochemical Society, 2006 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.2006 No.2
Fabrication and Emission Characteristics of GaAs Tip and Wedge-Shaped Field Emitter Arrays by Wet Etching
Ducroquet, F., Kropfeld, P., Yaradou, O., Vanovcrs IEEE 1997 INTERNATIONAL VACUUM MICROELECTRONICS CONFERENCE Vol.10 No.-
Fully Depleted Silicon-on-Insulator nMOSFETs with Tensile Strained High Carbon Content Si1-yCy Channels
Ducroquet, F., Hartmann, J., Tabone, C., Lafond, D Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2006 ECS Transactions Vol.3 No.2
17.5 Double SiGe:C Diffusion Barrier Channel 40nm CMOS with Improved Short-Channel Performances
Ducroquet, F., Ernst, T., Hartmann, J.-M., Weber, IEEE 2004 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING Vol.- No.-
(Invited) Admittance Spectroscopy of Si/LaLuO~3 and Si/GdSiO MOS Structures
Ducroquet, F., Engstrom, O., Gottlob, H.D., Lopes, Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2012 ECS Transactions Vol.45 No.3
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