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Driad-Lebeau, L., Lokmane, N., Semblat, J. F., Bon Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2009 Soil dynamics and earthquake engineering Vol.29 No.1
Seismic and geotechnical investigations following a rockburst in a complex French mining district
Driad-Lebeau, L., Lahaie, F., Al Heib, M., Josien, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 INTERNATIONAL JOURNAL OF COAL GEOLOGY Vol.64 No.1-2
Induced Seismicity Monitoring of an Underground Salt Cavern Prone to Collapse
Mercerat, E. D., Driad-Lebeau, L., Bernard, P. Springer Science + Business Media 2010 Pure and applied geophysics Vol.167 No.1-2
High resolution seismic investigation in salt mining context
Kosecki, A., Piwakowski, B., Driad-Lebeau, L. SPRINGER SCIENCE + BUSINESS MEDIA 2010 ACTA GEOPHYSICA Vol.58 No.1
Local amplification of deep mining induced vibrations part.2: Simulation of ground motion in a coal basin
Semblat, J. F., Lokmane, N., Driad-Lebeau, L., Bon Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 Soil dynamics and earthquake engineering Vol.30 No.10
Fully planar AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors using chemical beam epitaxy selective growth
Driad, R. ELSEVIER 1994 Materials Science and Engineering B Vol.28 No.1-3
Crystallographic orientation effects on the performance of InP-based heterojunction bipolar transistors
Driad, R., Losch, R., Benkhelifa, F., Kuri, M., Ro Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 Solid-State Electronics Vol.54 No.11
Effect of UV-Ozone Oxidation on the Device Characteristics of InP-Based Heterostructure Bipolar Transistors
Driad, R. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2000 Journal of Electronic Materials Vol.29 No.12
Improved stability of C-doped GaAs grown by chemical beam epitaxy for heterojunction bipolar transistor applications
Driad, R North-Holland Pub. Co 1996 Journal of crystal growth Vol.158 No.3
Driad, R., Duchenois, A. M., Le Roux, G., Zerguine Elsevier 1994 Materials Science and Engineering B Vol.28 No.1-3
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