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Danković, Danijel, Manić, Ivica, Prijić, Aneta, Dj Institute of Physics 2015 Semiconductor science and technology Vol.30 No.10
Public scepticism of internationally supported civil society organisations: norms, citizen priorities, and local groups in post-socialist Serbia
Danković, Sladjana, Pickering, Paula M. Taylor & Francis 2017 East European Politics Vol.33 No.2
Radiation and annealing related effects in NBT stressed P-channel power VDMOSFETs
Danković, D., Davidović, V., Golubović, S., Veljko Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2021 Microelectronics and reliability Vol.126 No.-
A review of pulsed NBTI in P-channel power VDMOSFETs
Danković, D., Manić, I., Prijić, A., Davidović, V. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2018 Microelectronics and reliability Vol.82 No.-
On the Recoverable and Permanent Components of NBTI in p-Channel Power VDMOSFETs
Danković, D., Manić, I., Davidović, V., Prijić, IEEE 2016 IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABIL Vol.16 No.4
NBTI and Irradiation Effects in P-Channel Power VDMOS Transistors
Davidović, V., Danković, D., Ilić, A., Manić, I., IEEE; 1999 2016 IEEE transactions on nuclear science Vol.63 No.2
Effects of consecutive irradiation and bias temperature stress in p-channel power vertical double-diffused metal oxide semiconductor transistors
Davidović, Vojkan, Danković, Danijel, Ilić, Ale IOP Publishing 2018 Japanese Journal of Applied Physics Vol.57 No.4
A method for negative bias temperature instability (NBTI) measurements on power VDMOS transistors
Priji&cacute,, A , Dankovi&cacute,, D , Vra&ccaron IOP Pub 2012 Measurement science & technology Vol.23 No.8
Negative bias temperature instability mechanisms in p-channel power VDMOSFETs
Stojadinovi??, N., Dankovi??, D., Djori??-Veljkovi Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 Microelectronics and reliability Vol.45 No.9-11
Davidović, V., Danković, D., Ilić, A., Manić, IEEE; 1999 2016 IEEE transactions on nuclear science Vol.63 No.2-1
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