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Low Temperature Epitaxy of Si and SiGe Using Disilane Based Chemistry for Electronic Purposes
Damlencourt, J. New York; Curran 2010 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.217^T^H No.2
Morphological and Electrical Comparison of GeOI Enriched Structures Obtained from SOI and sSOI Substrates
Damlencourt, J., Vincent, B., Clavelier, L., Le Ro Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2009 ECS Transactions Vol.19 No.4
MORPHOLOGICAL AND ELECTRICAL COMPARISON OF GEOI ENRICHED STRUCTURES OBTAINED FROM SOI AND SSOI SUBSTRATES
Damlencourt, J.F., Vincentl, B., Clavelier, L., Le Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2009 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.215 No.2
Epitaxial Regrowth of Ge on SGOI and GeOI Substrates Obtained by Ge Condensation
Damlencourt, J., Campidelli, Y., Roure, M., Vincen Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2007 ECS Transactions Vol.6 No.4
Damlencourt, J. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2010 ECS Transactions Vol.28 No.1
Surface treatment for the atomic layer deposition of HfO~2 on silicon
Damlencourt, J.-F., Renault, O., Martin, F., Semer AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2005 Applied Physics Letters Vol.86 No.14
Surface treatment for high-quality Al2O3 and HfO2 layers deposited on HF-dipped surface by atomic layer deposition
Damlencourt, J. F., Renault, O., Chabli, A., Marti Kluwer Academic Publishers 2003 Journal of materials science Materials in electron Vol.14 No.5-7
High-Quality Fully Relaxed In0.65Ga0.35As Layers Grown on InP Using the Paramorphic Approach
Damlencourt, J. F.,Leclercq, J. L.,Gendry, M. American Institute of Physics 1999 Applied Physics Letters Vol.75 No.23
Influence of Annealing Treatments on the Morphology and Electrical Properties of GeOI Substrates Obtained by Ge Condensation
Damlencourt, J., Campidelli, Y., Nguyen, T., Vince Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2007 ECS Transactions Vol.6 No.1
Electrical and physico-chemical characterization of HfO2/SiO2 gate oxide stacks prepared by atomic layer deposition
Damlencourt, J. F., Renault, O., Samour, D., Papon Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 Solid-State Electronics Vol.47 No.10
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