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Polariton-acoustic-phonon interaction in a semiconductor microcavity
Cassabois, G. AMERICAN PHYSICAL SOCIETY 2000 Physical Review B Vol.61 No.3
Disorder-induced photoluminescence up-conversion in InAs/GaAs quantum-dot samples
Cassabois, G., Kammerer, C., Sopracase, R., Voisin AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2002 Journal of Applied Physics Vol.91 No.8
Coherent Response of a Semiconductor Microcavity
CASSABOIS, G. ACADEMIC VERLAG GMBH 2000 Physica Status Solidi. A Vol.178 No.1
Acoustic phonon dephasing in shallow GaAs/Ga~1~-~xAl~xAs single quantum wells
Cassabois, G., Ceccherini, S., Roussignol, P., Bog Pergamon 1997 PHYSICA E Vol.2 No.1-4
Photoluminescence up-conversion of single InAs/GaAs quantum dots
Cassabois, G., Kammerer, C., Voisin, C., Delalande ELSEVIER SCIENCE 2002 PHYSICA E Vol.13 No.2-4
Hexagonal boron nitride is an indirect bandgap semiconductor
Cassabois, G., Valvin, P., Gil, B. Nature Publishing Group 2016 NATURE PHOTONICS Vol.10 No.4
Dephasing processes in a single semiconductor quantum dot
Cassabois, G., Ferreira, R. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 COMPTES RENDUS PHYSIQUE Vol.9 No.8
Coherent response of a semiconductor microcavity in the strong coupling regime
Cassabois, G. ELSEVIER 2000 PHYSICA E Vol.7 No.3-4
Interference effect in the resonant emission of a semiconductor microcavity
Cassabois, G. AMERICAN PHYSICAL SOCIETY 2001 Physical Review B Vol.64 No.4
Stationary coherence in semiconductor microcavities
Cassabois, G. AMERICAN PHYSICAL SOCIETY 1999 Physical Review B Vol.59 No.16
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