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Dislocations and quantum transport: a possible hint for one-dimensional conductivity along dislocation lines; a fundamental mechanism for the EBIC contrast formation
Bougrioua, Z.,Ferre, D.,Farvacque, J. L. Elsevier 1993 Materials Science and Engineering B Vol.24 No.1-3
2DEG Mobility in AlGaN-GaN Structures Grown by LP-MOVPE
Bougrioua, Z., Farvacque, J.-L., Moerman, I., Caro ACADEMIC VERLAG GMBH 2001 Physica status solidi. B Vol.228 No.1-2
Engineering of an insulating buffer and use of AlN interlayers: two optimisations for AlGaN-GaN HEMT-like structures
Bougrioua, Z., Moerman, I., Nistor, L., Van Daele, ACADEMIC VERLAG GMBH 2003 Physica Status Solidi. A Vol.195 No.1
Bougrioua, Z., Moerman, I., Nistor, L., Van Daele, Wiley-VCH, 2003 Physica Status Solidi C Vol.- No.3
Determination of the Switching Response in Reflective Twisted Nematic Liquid Crystal Displays
Bougrioua, F., Oepts, W., De Vleeschouwer, H., Ale Japanese Journal of Applied Physics; 1999 2002 Japanese Journal of Applied Physics Vol.41 No.9
Reduction of stacking faults in (11$ \bar 2 $0) and (11$ \bar 2 $2) GaN films by ELO techniques and benefit on GaN wells emission
Bougrioua, Z., Laugt, M., Vennegues, P., Cestier, John Wiley & Sons, Ltd 2007 Physica Status Solidi. A Vol.204 No.1
Fe doping for making resistive GaN layers with low dislocation density; consequence on HEMTs
Bougrioua, Z., Azize, M., Jimenez, A., Brana, A.-F Wiley - VCH 2005 Physica Status Solidi C Vol.2 No.7
Some benefits of Fe doped less dislocated GaN templates for AlGaN/GaN HEMTs grown by MOVPE
Bougrioua, Z., Azize, M., Lorenzini, P., Laugt, M. ACADEMIC VERLAG GMBH 2005 Physica Status Solidi. A Vol.202 No.4
Mobility Collapse in Undoped and Si-Doped GaN Grown by LP-MOVPE
Bougrioua, Z.,Farvacque, J.-L.,Moerman, I.,Demeest Wiley-VCH 1999 Physica status solidi. B Vol.216 No.1
Photoelectric properties of highly excited GaN:Fe epilayers, grown by modulation- and continuous-doping techniques
Bougrioua, Z., Azize, M., Beaumont, B., Gibart, P. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 Journal of crystal growth Vol.300 No.1
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