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Growth and design of deep-UV (240-290nm) light emitting diodes using AlGaN alloys
Allerman, A. A., Crawford, M. H., Fischer, A. J., Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 Journal of crystal growth Vol.272 No.1-4
Preface: Phys. Status Solidi A 206/2
Allerman, A., Dupuis, R. D., Khan, A., Ponce, F. A John Wiley & Sons, Ltd 2009 Physica Status Solidi. A Vol.206 No.2
Uniform radial flow epitaxy for thin layer heterostructures
A.A. Allerman, P.A. Barnes, S.D. Walck North-Holland Pub. Co 1991 Journal of crystal growth Vol.112 No.2-3
Al0.3Ga0.7N PN diode with breakdown voltage >1600 V
Allerman, A. A., Armstrong, A. M., Fischer, A. J. IET 2016 Electronics Letters Vol.52 No.15
Growth and characterization of Mg-doped AlGaN–AlN short-period superlattices for deep-UV optoelectronic devices
Allerman, A. A., Crawford, M. H., Miller, M. A., L Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 Journal of crystal growth Vol.312 No.6
High voltage and high current density vertical GaN power diodes
Armstrong, A., Allerman, A., Fischer, A., King, M. IET 2016 Electronics Letters Vol.52 No.13
GaAs Self-Aligned JFETs with Carbon-Doped p^+ Region
Baca, A. G.,Chang, P.-C.,Allerman, A. A.,Drummond, Electrochemical Society 1999 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.- No.4
Device performance of AlGaN-based 240-300-nm deep UV LEDs (Invited Paper) [5530-05]
Fischer, A. J., Allerman, A. A., Crawford, M. H., International Society for Optical Engineering; 1999 2004 Progress in Biomedical Optics and Imaging Vol.5530 No.-
High Efficiency Nitride LEDs for use in Solid State Lighting Applications
Fischer, A. J., Koleske, D. D., Allerman, A. A., C Pennington, N.J.:; Electrochemical Society, 2003 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.11 No.-
Room-temperature direct current operation of 290 nm light-emitting diodes with milliwatt power levels
Fischer, A. J., Allerman, A. A., Crawford, M. H., AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2004 Applied Physics Letters Vol.84 No.17
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