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3.3 kV 4H-SiC DMOSFET with Highly Reliable Gate Insulator and Body Diode
Akio Shima , Haruka Shimizu , Yuki Mori , Masakazu Scientific.Net 2017 Materials Science Forum Vol.897 No.-
Reliable 4H-SiC MOSFET with High Threshold Voltage by Al2O3-Inserted Gate Insulator
Akio Shima , Kikuo Watanabe , Toshiyuki Mine , Nao Trans Tech Publications Ltd. 2015 Materials Science Forum Vol.821-823 No.-
Ohmic contact on n- and p-type ion-implanted 4H-SiC with low-temperature metallization process for SiC MOSFETs
Shimizu, Haruka, Shima, Akio, Shimamoto, Yasuhi IOP Publishing 2017 Japanese Journal of Applied Physics Vol.56 No.4
Modeling of Stacking Fault Expansion Velocity of Body Diode in 4H-SiC MOSFET
Kumiko Konishi , Ryusei Fujita , Akio Shima , Yasu Scientific.Net 2017 Materials Science Forum Vol.897 No.-
Fabrication and Characterization of 3.3-kV SiC DMOSFET with Self-Aligned Channels Formed by Tilted Ion Implantation
Takahiro Morikawa , Shintaroh Sato , Akio Shima Trans Tech Publications Ltd. 2019 Materials Science Forum Vol.963 No.-
Evaluation of Ozone Damage of Carbon Nanotubes
Ishikawa, Ryo, Nakano, Akio, Shima, Ryunosuke, Shi Surface Sciene Society of Japan; Vacuum Society of Japan 2018 Vacuum and surface science Vol.61 No.12
Impact of Cell Layout and Device Structure on On-Voltage Reduction of 6.5-kV n-Channel SiC IGBTs
Naoki Watanabe, Hiroyuki Yoshimoto, Akio Shima Scientific.Net 2018 Materials Science Forum Vol.924 No.-
6.5 kV n-Channel 4H-SiC IGBT with Low Switching Loss Achieved by Extremely Thin Drift Layer
Naoki Watanabe , Hiroyuki Yoshimoto , Akio Shima Trans Tech Publications Ltd. 2016 Materials Science Forum Vol.858 No.-
Analysis Self-Healing of Gate Leakage Current due to Oxide Traps to Improve Reliability of Gate Electrode
Shintaroh Sato , Haruka Shimizu , Akio Shima , Yas Scientific.Net 2017 Materials Science Forum Vol.897 No.-
D~i~t control during heating and cooling steps of dry oxidation for reliable gate insulator in SiC MOSFETs
Kobayashi, Keisuke, Shimizu, Haruka, Shima, Akio JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2019 Japanese Journal of Applied Physics Vol.58 No.9
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