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Properties of narrow-gap cadmium-based compounds.
Willoughby, A. F. W. unknown 1995 IEE proceedings. Optoelectronics.Optoelectronics Vol.142 No.6
Interdiffusion in the CdTe/HgTe system
A.F.W. Willoughby north-Holland 1982 Materials Letters Vol.1 No.2
Extended defects in epitaxial cadmium mercury telluride
A. Wasenczuk, A. F. W. Willoughby, P. Mackett, E. North-Holland Pub. Co 1996 Journal of crystal growth Vol.159 No.1-4
Enhanced Diffusion Following Point Defect Injection into B in SiGe and Si
Willoughby, A. F. W. SCI TECH PUBLICATIONS LTD 2001 Defect and Diffusion Forum Vol.194-199 No.1
Invited Paper: Diffusion Mechanisms in SiGe Alloys
Willoughby, A. F. W., Bonar, J. M., Paine, A. D. N Materials Research Society 1999 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.568 No.-
DIFFUSION OF BORON IN HEAVILY DOPED N-TYPE AND P-TYPE SILICON
A. F. W. Willoughby, A. G. R. Evans, P. Champ, K. American Institute of Physics 1986 Journal of Applied Physics Vol.59 No.7
A study of dielectric loss mechanisms in zinc sulphide thin film capacitors
A.F.W. Willoughby, F.C. Yuen Elsevier BV * North-Holland 1972 Thin Solid Films Vol.13 No.1
Invited: Diffusion Mechanisms in SiGe Alloys
Willoughby, A. F. W. Electrochemical Society 1998 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.2 No.1
Diffusion Mechanisms in SiGe Alloys
Willoughby, A. F. W. Electrochemical Society 1999 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.- No.1
The influence of dislocations on mercury self-diffusion in epitaxial and bulk grown CdxHg1-xTe
N.A. Archer, H.D. Palfrey, A.F.W. Willoughby North-Holland Pub. Co 1992 Journal of crystal growth Vol.117 No.1-4
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