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PHOTOLUMINESCENCE STUDY OF INTERFACE DEFECTS IN HIGH-QUALITY GAAS-GAALAS SUPERLATTICES
B. Deveaud, A. Regreny, J. Y. Emery, A. Chomette American Institute of Physics 1986 Journal of Applied Physics Vol.59 No.5
Hot exciton effects and relaxation in coupled quantum wells
F. Clérot , B. Deveaud , A. Chomette , A. Regreny Elsevier 1989 Solid-State Electronics Vol.32 No.12
Localized growth of InAs quantum dots on nanopatterned InP(001) substrates (3 pages)
Turala, A., Regreny, P., Rojo-Romeo, P., Gendry, M AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2009 Applied Physics Letters Vol.94 No.5
Mise en evidence par analyse thermique differentielle de deux possibilites d'insertion du germanium dans le quartz de synthese
M. Passaret, A. Regreny North-Holland Pub. Co 1974 Journal of crystal growth Vol.22 No.2
Selected-area molecular beam epitaxy on ion-implanted GaAs substrates
P.N. Favennec , L. Henry , A. Regreny , M. Salvi [Institution of Electrical Engineers] 1982 Electronics Letters Vol.18 No.21
X-ray diffraction effects in Ga and Al arsenide structures MBE-grown on slightly misoriented GaAs (001) substrates
P. Auvray, M. Baudet, A. Regreny North-Holland Pub. Co 1989 Journal of crystal growth Vol.95 No.1-4
Ultrafast relaxation of photoexcited carriers in quantum wells and superlattices (Invited paper)
Deveaud, B.,Morris, D.,Regreny, A.,Pianel, R. Institute of Physics Publishing 1993 Semiconductor science and technology Vol.9 No.5//SUP
ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF A GAAS QUANTUM-WELL CONFINED BY GAALAS LAYERS OR BY 2 SUPERLATTICES
S. Ababou, G. Guillot, A. Regreny American Institute of Physics 1992 Journal of Applied Physics Vol.72 No.9
X-RAY-DIFFRACTION STUDY OF INTENTIONALLY DISORDERED GAALAS-GAAS SUPERLATTICES
P. Auvray, M. Baudet, A. Regreny American Institute of Physics 1987 Journal of Applied Physics Vol.62 No.2
Ultrafast Electron Transfer in Type II GaAs/AlAs Superlattices by Femtosecond Luminescence
Deveaud, B.,Clerot, F.,Regreny, A.,Planel, R. Les Editions de Physique 1995 European Physical Journal H Vol.20 No.2
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