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High-resolution ellipsometric measurements of Ni from 1.8 to 3.5 eV
A.A. Studna Pergamon Press 1975 Solid state communications Vol.16 No.9
OPTICAL-PROPERTIES AND WATER-ABSORPTION OF ANODICALLY GROWN NATIVE OXIDES ON INP
A. A. Studna, G. J. Gualtieri American Institute of Physics 1981 Applied Physics Letters Vol.39 No.12
Direct observation of the E0 and E0 + Δ0 transitions in silicon
D.E. Aspnes, A.A. Studna Pergamon Press 1972 Solid state communications Vol.11 No.10
STABILITY OF (100) GAAS-SURFACES IN AQUEOUS-SOLUTIONS
D. E. Aspnes, A. A. Studna American Institute of Physics 1985 Applied Physics Letters Vol.46 No.11
CHEMICAL ETCHING AND CLEANING PROCEDURES FOR SI, GE, AND SOME III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS
D. E. Aspnes, A. A. Studna American Institute of Physics 1981 Applied Physics Letters Vol.39 No.4
Geometrically Exact Ellipsometer Alignment
D. E. Aspnes, A. A. Studna Optical Society of America 1971 Applied Optics Vol.10 No.5
High Precision Scanning Ellipsometer
D. E. Aspnes, A. A. Studna Optical Society of America 1975 Applied Optics Vol.14 No.1
Optical reflectance measurements of transients during molecular‐beam epitaxial growth on (001) GaAs
Harbison, J. P.,Aspnes, D. E.,Studna, A. A.Florez, AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1988 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.6 No.2
Optical studies of molecular‐beam epitaxy growth of GaAs and AlAs
Aspnes, D. E.,Harbison, J. P.,Studna, A. A.,Florez AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1988 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.6 No.4
REFLECTANCE-DIFFERENCE SPECTROSCOPY SYSTEM FOR REAL-TIME MEASUREMENTS OF CRYSTAL-GROWTH
D. E. Aspnes, J. P. Harbison, A. A. Studna, L. T. American Institute of Physics 1988 Applied Physics Letters Vol.52 No.12
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